[发明专利]多层陶瓷电容器

说明书

本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有设置在两个内电极之间的介电层。所述介电层包括多个介电晶粒。在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界具有在所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比，所述Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。

本申请要求于2019年2月13日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0016771号韩国专利申请以及于2019年7月1日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0078903号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种能够提高可靠性的多层陶瓷电容器。

背景技术

通常，使用陶瓷材料的电子组件(诸如电容器、电感器、压电装置、压敏电阻、热敏电阻等)可包括利用陶瓷材料形成的陶瓷主体、设置在陶瓷主体内部的内电极以及设置在陶瓷主体的表面上以与内电极连接的外电极。

近来，尽管电子产品已经被设计为具有减小的尺寸和多功能性，但片组件在尺寸上也已经减小并且已经具有在其中实现的各种功能。因此，已经需要具有减小的尺寸和高电容的多层陶瓷电容器。

例如，为了同时实现具有减小的尺寸和高电容的多层陶瓷电容器，可能需要减小内部介电层和电极层的厚度，使得可堆叠更多数量的内部介电层和电极层。通常，介电层的厚度为0.7μm左右，并且已经不断开发出进一步减小介电层的厚度的技术。

如上所述，随着多层陶瓷电容器的小型化，加速了在薄的介电层中的介电击穿，并且难以确保可靠性。

为了解决上述问题，已经对介电组合物进行了研究，但是对介电晶界的成分和微观结构控制的研究是不足的。

当在介电晶粒中形成的氧空位向负电极(-电极)移动并在负电极(-电极)的界面处累积时，薄的介电层中的介电晶粒出现劣化，从而可能降低晶界的活化能并且可能发生隧穿。

因此，为了防止介电晶粒的劣化并增大绝缘电阻，可通过增大晶界的绝缘电阻来提高可靠性。因此，需要对晶界进行研究。

发明内容

本公开的一个方面在于提供一种多层陶瓷电容器。所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有设置在内电极之间的介电层，其中，所述介电层包括介电晶粒和晶界，所述晶界在所述介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间，并且在所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。

根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电容器包括：彼此交替堆叠的多个第一内电极和多个第二内电极，且介电层位于所述第一内电极和所述第二内电极之间。每个介电层包括多个介电晶粒，且晶界位于所述多个介电晶粒之间，所述晶界包括Ni和Ti，并且所述晶界中的Ni的重量与Ti的重量的Ni/Ti比为0.1或更小。

根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电容器包括：彼此交替堆叠的多个第一内电极和多个第二内电极，且介电层位于所述第一内电极和所述第二内电极之间。每个介电层包括多个介电晶粒，且晶界位于所述多个介电晶粒之间，并且所述晶界具有0.7nm至1.5nm的厚度。

附图说明

通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据本公开的实施例的多层陶瓷电容器的示意性透视图；

图2是沿图1的线I-I’截取的截面图；

图3是图2的“P”区域的放大图；

图4和图5是根据本公开的实施例的透射电子显微镜(TEM)分析照片；以及

图6和图7是根据本公开的比较示例的透射电子显微镜(TEM)分析照片。

具体实施方式