[发明专利]半导体模块及半导体器件收容体有效
申请号: | 202010082506.7 | 申请日: | 2020-02-07 |
公开(公告)号: | CN111554650B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 大野智基 | 申请(专利权)人: | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 季莹;方应星 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模块 半导体器件 收容 | ||
1.一种半导体模块,具备:
金属制的衬底;
绝缘性的框架,设置于所述衬底的周缘部上;
金属制的引脚,设置于所述框架上;及
半导体芯片,搭载于由所述框架围成的空间的所述衬底上,
所述框架通过包含银的接合材料而粘合于所述衬底,
所述框架在与所述衬底相对的面的、所述空间侧的角部即内侧部分及所述内侧部分的相反侧的角部即外侧部分形成有凹部,
在所述外侧部分的所述凹部内及所述内侧部分的所述凹部内的至少一方填充有保护材料。
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
所述保护材料为热塑性的树脂。
3.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,
所述保护材料是在150℃以上且230℃以下的温度下固化的树脂。
4.根据权利要求2或3所述的半导体模块,其中,
所述保护材料为环烯烃聚合物树脂。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体模块,其中,
所述保护材料的介电常数为3.4以上且4.0以下。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体模块,其中,
所述凹部仅形成在所述内侧部分及所述外侧部分中的在层叠方向上与所述引脚重叠的部分。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体模块,其中,
所述凹部的进深及高度设为0.05mm以上且0.5mm以下。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体模块,其中,
所述框架为陶瓷制。
9.根据权利要求8所述的半导体模块,其中,
所述陶瓷为包含氧化铝的材料。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体模块,其中,
所述框架为树脂制。
11.根据权利要求10所述的半导体模块,其中,
所述树脂为聚酰亚胺类树脂。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的半导体模块,其中,
所述半导体芯片包含氮化物半导体而构成。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的半导体模块,其中,
所述框架包含多层基板,该多层基板包含至少两层,所述引脚是设置在所述多层基板中的一层上的金属制配线,所述一层的基板向所述空间的外部拉出。
14.一种半导体器件收容体,具备:
金属制的衬底;
绝缘性的框架,设置于所述衬底的周缘部上;及
金属制的引脚,设置于所述框架上,
所述框架通过包含银的接合材料而粘合于所述衬底,
所述框架在与所述衬底相对的面的、由所述框架围成的空间侧的角部即内侧部分及所述内侧部分的相反侧的角部即外侧部分形成有凹部,
在所述外侧部分的所述凹部内及所述内侧部分的所述凹部内的至少一方填充有保护材料。
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