[发明专利]半导体模块及半导体器件收容体

说明书

本发明提供一种半导体模块及半导体器件收容体。半导体模块具备：金属制的底板；绝缘性的框架，设置于该底板的周缘部上；金属制的引脚，设置于该框架上；及半导体器件，搭载于由框架围成的空间的底板上，框架通过包含银的接合材料而粘合于底板，框架在与底板相对的面的、上述的空间侧的角部即内侧部分及内侧部分的相反侧的角部即外侧部分形成有凹部，在凹部内填充有涂敷材料。

技术领域

本公开涉及半导体模块及半导体器件收容体。

背景技术

以往，作为半导体模块，已知具备金属制的衬底、设置在该衬底上的绝缘性的框架、设置在该框架上的引脚端子，在框架的开口部分固定半导体器件的结构(例如参照日本特开平10-163353号公报)。

在上述那样的半导体模块中，框架例如通过包含银的软钎料而粘合于衬底。在这样的结构中，当在引脚与衬底之间存在电场时，特别是在高多湿化下，产生离子化的金属在电场间的物质的表面移动的离子迁移。在发生离子迁移的情况下，当被电场拉拽而移动的金属离子由于某些原因从离子化状态返回成金属时，存在这样的金属蓄积而生成枝晶(树枝状的晶体)的情况。存在由于枝晶生长而存在电极间短路，最终破坏电路、半导体的可能性。

发明内容

因此，本公开的一个方式的目的在于抑制离子迁移的发生。

本公开的一个方式的半导体模块具备：金属制的衬底；绝缘性的框架，设置于该衬底的周缘部上；金属制的引脚，设置于该框架上；及半导体芯片，搭载于由框架围成的空间的衬底上，框架通过包含银的接合材料而粘合于衬底，框架在与衬底相对的面的、空间侧的角部即内侧部分及内侧部分的相反侧的角部即外侧部分形成有凹部，在外侧部分的凹部内及内侧部分的凹部内的至少一方填充有保护材料。

附图说明

通过以下参照附图对本发明的优选实施例的详细描述，将更好地理解上述和其他目的、方面和优点，其中：

图1是表示本公开的一个方式的半导体模块的俯视图。

图2是图1所示的半导体模块的剖视图。

图3是涂敷材料填充前的半导体模块的剖视图。

图4是示意性地表示框架的凹部的形成区域的图。

图5是比较例的半导体模块的剖视图。

图6是另一比较例的半导体模块的剖视图。

图7是示意性地表示变形例的半导体模块中的凹部的形成区域的图。

图8是具有另一方式的框架的半导体模块的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图，说明本发明的实施方式的半导体模块的具体例。此外，在说明中，对于同一要素或具有同一功能的要素，使用同一标号，省略重复的说明。本发明没有限定为以下的例示，由权利要求书公开，并包含与权利要求书等同的意思及范围内的全部变更。

图1是表示本实施方式的半导体模块1的俯视图。此外，在图1中，省略半导体模块1中包含的半导体器件14(参照图2等)的图示。半导体模块1是包含由氮化物半导体构成的半导体器件14而构成的高输出高频半导体封装体。如图1所示，半导体模块1具备底板11(衬底)、框架12、引脚13及半导体器件14(参照图2)。包含底板11、框架12、引脚13的结构是半导体器件14的收容体(半导体器件收容体)。

底板11是具有铜、铜合金或它们的层叠构造的金属板材，俯视观察时形成为矩形形状。如图2所示，底板11是例如铜11a、钼11b、铜11a层叠的层叠构造。铜11a、钼11b、铜11a的各层的厚度分别为例如0.2mm、0.3mm、0.2mm左右。底板11整体被镀金，将半导体器件14通过例如金与锡(AuSn)或金与硅(AuSi)的合金等进行芯片焊接。镀金的厚度为例如0.2μm左右。底板11在电气上为接地电位。