[发明专利]显微试片制备方法、装置及记录介质在审

专利信息
申请号: 202010082608.9 申请日: 2020-02-07
公开(公告)号: CN113310758A 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 洪世玮;李正中 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28;G01N23/04;G01N23/2251;G01N25/18;G01N21/31;G01N23/201;B23K26/38;B23K26/70
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 薛恒;王琳
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 显微 试片 制备 方法 装置 记录 介质
【说明书】:

发明提供一种显微试片制备方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤:撷取待测对象的测试影像;辨识测试影像中的多个测试样本,并根据辨识结果从测试影像中选择关注区域;利用激光切割关注区域中的测试样本,以产生间隙排列的测试样本作为多个目标样本;以及利用聚焦离子束切削各个目标样本为目标形状,以制备显微试片。

技术领域

本公开的实施例是有关于一种显微试片制备方法、装置及记录介质。

背景技术

在半导体制程中,需要针对半导体组件的表面微污染、掺杂与离子植入等,进行特定元素(例如磷、砷、硼等)浓度的量化分析,从而控制或调整制程参数,藉此维持组件/外延的稳定性。例如,在磷化硅的外延(epitaxy)过程中,即需要对磷进行量化分析(quantification)。

现今的量化分析技术包括原子探针分析(Atom Probe Tomography,APT)、穿透式电子显微镜(Transmission electron microscope,TEM)等,但其在制备分析用的显微试片时,需要由测试人员根据经验选择样本,且需要针对样本进行移载、焊接、切割及切削等多样程序,才能制作出分析所需的显微试片。

发明内容

本公开的实施例提供一种显微试片制备方法,适用于具有处理器的电子装置。此方法包括下列步骤:撷取待测对象的测试影像;辨识所述测试影像中的多个测试样本,并根据辨识结果从所述测试影像中选择关注区域(region of interest,ROI);利用激光切割所述关注区域中的所述测试样本,以产生间隙排列的所述测试样本作为多个目标样本;以及利用聚焦离子束切削各所述目标样本为目标形状,以制备所述显微试片。

本公开的实施例提供一种显微试片制备装置,其包括影像捕获设备、切割装置、切削装置及处理器。影像捕获设备是用以撷取待测对象的测试影像。处理器耦接影像捕获设备、切割装置及切削装置,经配置以:辨识测试影像中的多个测试样本,并根据辨识结果从测试影像中选择关注区域;控制切割装置利用激光切割关注区域中的测试样本,以产生间隙排列的测试样本作为多个目标样本;以及控制切削装置利用聚焦离子束切削各所述目标样本为目标形状,以制备所述显微试片。

本公开的实施例提供一种计算机可读取记录介质,记录程序,所述程序经处理器加载以执行:撷取待测对象的测试影像;辨识所述测试影像中的多个测试样本,并根据辨识结果从所述测试影像中选择关注区域;利用激光切割所述关注区域中的所述测试样本,以产生间隙排列的所述测试样本作为多个目标样本;以及利用聚焦离子束切削各所述目标样本为目标形状,以制备所述显微试片。

附图说明

当结合附图阅读时,从以下详细描述最好地理解本公开内容的各方面。应注意,根据行业中的标准惯例,各种特征未按比例绘制。实际上,为了论述清楚起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据本公开实施例所绘示的显微试片装置的方块图。

图2是根据本公开实施例所绘示的显微试片制备分析方法的流程图。

图3A及图3B是根据本公开实施例所绘示的辨识测试样品及选择关注区域的范例。

图4是根据本公开实施例所绘示的显微试片制备方法的范例。

图5是根据本公开实施例所绘示的显微试片制备方法的范例。

图6是根据本公开实施例所绘示的屏蔽图案决定方法的范例。

图7是根据本公开实施例所绘示的显微试片装置的方块图。

图8是根据本公开实施例所绘示的显微试片制备分析方法的流程图。

图9是根据本公开实施例所绘示的显微试片制备方法的范例。

附图标号说明:

10、70:显微试片装置

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