[发明专利]存储器在审

专利信息
申请号: 202010082652.X 申请日: 2020-02-07
公开(公告)号: CN113160862A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 曾俊砚;郭有策;陈昌宏;王淑如;邱雅兰;黄俊宪;蔡志维;余欣炽;吴奕廷;黄正同;王荏滺;吴祯祥;杨伯钧;谢咏净;陈健中;李柏昌 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器
【权利要求书】:

1.一种存储器,其特征在于,包含:

(n-1)个第一非挥发性单元,每一第一非挥发性单元包含第一端及第二端;

(n-1)条位线,其中该(n-1)条位线之一第i位线耦接于该(n-1)个第一非挥发性单元之一第i第一非挥发性单元的第一端;及

第一电流驱动电路,包含n个第一晶体管,耦接于该(n-1)个第一非挥发性单元;

其中n及i为正整数,n2,且in。

2.如权利要求1所述的存储器,其中该(n-1)个第一非挥发性单元是(n-1)个磁隧道结单元,(n-1)个电阻随机存取存储器单元,或(n-1)个相变单元。

3.如权利要求1所述的存储器,其中:

该n个第一晶体管的每一晶体管包含第一端,第二端及一控制端;及

该n个第一晶体管之一第i第一晶体管的第一端耦接于该第i第一非挥发性单元的第二端。

4.如权利要求1所述的存储器,其中一预定电压是施加于该第i位线,及该第一电流驱动电路是被操作以使一预定电流流经该第i第一非挥发性单元,以存取该第i第一非挥发性单元。

5.如权利要求4所述的存储器,其中当该第i第一非挥发性单元被写入,该预定电流具有一较高值,且当该第i第一非挥发性单元被读取,该预定电流具有一较低值。

6.如权利要求1所述的存储器,另包含:

(n-1)个第二非挥发性单元,每一第二非挥发性单元包含第一端及第二端;

该第i位线另耦接于该(n-1)个第二非挥发性单元之一第i第二非挥发性单元的第一端;及

第二电流驱动电路,包含n个第二晶体管,耦接于该(n-1)个第二非挥发性单元。

7.如权利要求6所述的存储器,其中当该(n-1)个第一非挥发性单元之一被存取,该n个第二晶体管被失能。

8.一种存储器,包含:

第一非挥发性单元,包含第一端及第二端;

第二非挥发性单元,包含第一端及第二端;

第一位线,耦接于该第一非挥发性单元的该第一端;

第二位线,耦接于该第二非挥发性单元的该第一端;

第一晶体管,包含耦接于该第一非挥发性单元的该第二端的第一端、第二端及控制端;

第二晶体管,包含耦接于该第二非挥发性单元的该第二端的第一端、第二端及控制端;及

第三晶体管,包含耦接于该第一晶体管的该第一端的第一端、耦接于该第二晶体管的该第一端的第二端及控制端。

9.如权利要求8所述的存储器,其中该第一晶体管的该第二端及该第二晶体管的该第二端耦接于源线。

10.如权利要求8所述的存储器,其中该第一晶体管的该控制端耦接于第一字符线,该第二晶体管的该控制端耦接于第二字符线,及该第三晶体管的该控制端耦接于第三字符线。

11.如权利要求8所述的存储器,其中:

该第一位线被施加一预定电压;及

该第一晶体管,该第二晶体管及该第三晶体管的至少一被致能,以存取该第一非挥发性单元。

12.如权利要求11所述的存储器,其中该第二位线被浮接以不存取该第二非挥发性单元。

13.如权利要求8所述的存储器,另包含:

第三非挥发性单元,包含第一端耦接于该第一位线,及第二端;

第四非挥发性单元,包含第一端耦接于该第二位线,及第二端;

第四晶体管,包含耦接于该第三非挥发性单元的该第二端的第一端、第二端及控制端;

第五晶体管,包含耦接于该第四非挥发性单元的该第二端的第一端、第二端及控制端;及

第六晶体管,包含耦接于该第四晶体管的该第一端的第一端、耦接于该第五晶体管的该第一端的第二端及控制端。

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