[发明专利]存储器

说明书

本发明公开一种存储器，包含(n‑1)个非挥发性单元，(n‑1)条位线及电流驱动电路。该(n‑1)个非挥发性单元的每个非挥发性单元包含第一端及第二端。该(n‑1)条位线的第i位线耦接于该(n‑1)个非挥发性单元的第i非挥发性单元的第一端。该电流驱动电路包含n个晶体管，耦接于该(n‑1)个非挥发性单元。

技术领域

本发明涉及一种存储器，尤其是涉及一种包含非挥发性单元及电流驱动电路的存储器。

背景技术

随着储存技术的进步，对于存储器的需求的标准也越来越高。使用者常期待存储器可支持高速操作，支持非挥发性的存储，及具有较小尺寸。为了上述需求，目前已有磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory，又称MRAM)等技术方案，可支持高速且非挥发性的存取。

然而，实务上已观察到，目前的存储器设计有工程上的难题。举例来说，当电路面积缩减，将发生驱动电流不足的问题，而导致存储器单元无法被正确地存取。若为了提高驱动能力，而增加驱动电路的晶体管数量，又将导致电路难以缩减。

因此，本领域仍需可提供足够驱动能力且不大幅增加电路尺寸的解决方案，以改善存储器的规格与性能。

发明内容

实施例提供一种存储器，包含(n-1)个第一非挥发性单元，(n-1)条位线及一第一电流驱动电路。该(n-1个)第一非挥发性单元的每一第一非挥发性单元包含一第一端及一第二端。该(n-1)条位线之一第i位线耦接于该(n-1)个第一非挥发性单元之一第i第一非挥发性单元的一第一端。该第一电流驱动电路，包含n个第一晶体管，耦接于该(n-1)个第一非挥发性单元。其中n及i为正整数，n2，且in。

另一实施例提供一种存储器，包含一第一非挥发性单元，一第二非挥发性单元，一第一位线，一第二位线，一第一晶体管，一第二晶体管及一第三晶体管。该第一非挥发性单元包含一第一端及一第二端。该第二非挥发性单元，包含一第一端及一第二端。该第一位线，耦接于该第一非挥发性单元的该第一端。该第二位线，耦接于该第二非挥发性单元的该第一端。该第一晶体管包含一第一端耦接于该第一非挥发性单元的该第二端，一第二端，及一控制端。该第二晶体管包含一第一端耦接于该第二非挥发性单元的该第二端，一第二端，及一控制端。该第三晶体管包含一第一端耦接于该第一晶体管的该第一端，一第二端耦接于该第二晶体管的该第一端，及一控制端。

另一实施例提供一种存储器，包含一氧化扩散层，一多晶硅层，一第一金属层，一第一非挥发性单元，一第二非挥发性单元及一第二金属层。该多晶硅层形成于该氧化扩散层上方。该第一金属层形成于该氧化扩散层上方。该第一非挥发性单元设置于该氧化扩散层上方，位于一第一参考线上。该第二非挥发性单元设置于该氧化扩散层上方，位于一第二参考线上，其中该第二参考线平行于该第一参考线。该第二金属层，形成于该第一非挥发性单元及该第二非挥发性单元上方。

附图说明

图1为实施例中，存储器的示意图；

图2为实施例中，写入图1的非挥发性单元的示意图；

图3为实施例中，读取图1的非挥发性单元的示意图；

图4为图1的存储器的一部分的等效电阻图；

图5为另一实施例中，存储器的示意图；

图6为实施例中，图5的存储器的布局图；

图7为另一实施例中，存储器的示意图；

图8为实施例中，4T3M结构的布局图；

图9为实施例中，存储器的示意图；

图10为图9的存储器的布局图。

符号说明

100,200,700,900:存储器