[发明专利]铝制部件的氧化皮膜的再生方法有效

专利信息
申请号: 202010084163.8 申请日: 2020-02-10
公开(公告)号: CN111560639B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 佐藤洋志;石榑文昭;稲吉荣 申请(专利权)人: 日本爱发科泰克能株式会社;株式会社爱发科
主分类号: C25D11/04 分类号: C25D11/04;C25D11/16
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 辛雪花;康泉
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摘要:
搜索关键词: 铝制 部件 氧化 皮膜 再生 方法
【说明书】:

本发明为铝制部件的氧化皮膜的再生方法,所述铝制部件具有:由铝或铝合金构成的部件主体;和形成在所述部件主体的表面的氧化皮膜,在所述氧化皮膜的表面具有剥离部、瑕疵及磨损痕中的至少一个,所述铝制部件的氧化皮膜的再生方法包括:再生工序,通过将所述铝制部件浸渍到电解液中进行微弧氧化处理,从而修复所述氧化皮膜。

技术领域

本发明涉及铝制部件的氧化皮膜的再生方法。

背景技术

作为用于制造存储器或发光二极管等半导体装置、液晶显示装置或有机EL显示装置等显示装置(还称为平板显示器)、太阳能电池、磁性设备、光学膜等的装置,已知有溅射成膜装置、CVD成膜装置(CVD:Chemical Vaper Deposition,化学气相沉积)、真空蒸镀装置、灰化装置、蚀刻装置、离子注入装置、退火装置等的各种制造装置。这些制造装置具有腔室,该腔室收容处理对象的基材,并且用于对基材进行成膜、蚀刻、离子注入、退火等。为了顺利进行成膜、蚀刻、离子注入、退火等,在腔室中设置有各种各样的部件。这些部件的一部分使用由铝或铝合金构成的铝制部件。其中,在等离子体环境下加工晶片或薄膜等的蚀刻装置以及形成薄膜的成膜装置(以下,将在等离子体环境下进行处理的装置称为等离子体装置)中,在腔室内使用的金属制部件的大部分为铝制部件。作为铝制部件的例子,具有为了将原料气体、腐蚀气体等均匀地供给到基材上而设置有多个贯穿孔的板。另外,作为另一例子,具有加热器和屏蔽板等。

为了进行来自等离子体照射等的保护或赋予电气绝缘性,或者为了提高耐腐蚀性,上述铝制部件一般在其表面具有氧化皮膜。作为在铝制部件的表面形成氧化皮膜的方法,例如具有使用硫酸浴的硫酸阳极氧化处理、以草酸阳极氧化为代表的有机酸阳极氧化处理、使用硫酸与有机酸的混合溶液的混酸阳极氧化处理等。通过这些方法,在铝制部件的表面形成氧化皮膜。

但是,如果使用等离子体装置连续或断续进行各种处理,则铝制部件表面的氧化皮膜有可能会逐渐劣化。作为劣化形态,可列举因等离子体中包含的离子、电子、自由基等导致的氧化皮膜表面的腐蚀、因氧化皮膜表面被还原或被氟化而引起的氧化皮膜表面的变质、伴随各种处理发生的反应副产物在氧化皮膜表面堆积这种情况。氧化皮膜的劣化不仅限于等离子体装置,在等离子体装置以外的半导体制造装置或平板显示器制造装置中也有可能会发生氧化皮膜的劣化。

这种氧化皮膜的劣化成为各种制造装置中的处理障碍。例如,由于因腐蚀或变质而导致从氧化皮膜剥离的氧化铝脱落,或者变质为氟化物的氧化皮膜从作为其基材的铝脱落,或者堆积在表面的反应副产物脱落,从而成为产生微粒的原因。因此,为了防止这种障碍,关于各种制造装置所使用的铝制部件,需要定期从该制造装置拆卸该铝制部件,通过在完全去除氧化皮膜之后,形成新的氧化皮膜,从而再生铝制部件。

作为去除氧化皮膜的方法,具有通过将铝制部件浸渍到蚀刻液而去除氧化皮膜的方法以及通过磨削、研磨等机械手段去除氧化皮膜的方法。关于该机械手段,在专利文献1中记载有如下方法:该方法去除铝制部件的氧化皮膜,并且对去除氧化皮膜的铝制部件实施研磨处理。

然而,在将铝制部件浸渍到蚀刻液的方法中,由于以下说明的理由,有时会过度蚀刻铝制部件。即,氧化皮膜的劣化大多为铝制部件的氧化皮膜整体不均匀地劣化的情况。因此,有时会混合存在劣化状态比较轻微的部分和劣化状态比较严重的部分。在此,如果为了去除氧化皮膜中的严重劣化的部位而调整蚀刻条件,则对于轻微劣化的部位来说该蚀刻条件会成为过量条件,有时会直到氧化皮膜的基底为止过度蚀刻。

特别是,在使用蚀刻液对设置有多个贯穿孔的板去除氧化皮膜时上述问题很明显。如果在完全去除严重劣化的氧化皮膜的条件下对板进行蚀刻,则在轻微劣化的部位例如贯穿孔的内部,氧化皮膜被蚀刻并且贯穿孔的内周面被过度蚀刻,有可能会扩大贯穿孔的内径。如果反复进行板的氧化皮膜的再生,则虽然期初多个贯穿孔间的内径的偏差较小,但贯穿孔间的内径的偏差会逐渐变大。如上所述,如果使用贯穿孔的形状变化的板例如进行薄膜的形成,则因产生薄膜原料的沉积量分布而薄膜的厚度变得不均匀,有可能会对薄膜的质量带来不良影响。

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