[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

鳍型有源区，其在第一方向上纵向延伸；

多个纳米片，其在所述鳍型有源区的鳍顶表面上在第二方向上彼此交叠；以及

源极/漏极区域，其在所述鳍型有源区上并在所述第一方向上面向所述多个纳米片，

其中，所述多个纳米片包括所述多个纳米片当中最靠近所述鳍型有源区的鳍顶表面并在所述第一方向上具有最短长度的第一纳米片，并且

其中，所述源极/漏极区域包括源极/漏极主区域以及从所述源极/漏极主区域突出的第一源极/漏极突出区域，其中，所述第一源极/漏极突出区域从所述源极/漏极主区域朝着所述第一纳米片突出以在所述第二方向上与所述多个纳米片的部分交叠。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述源极/漏极区域包括掺杂有第一导电类型的第一掺杂剂的第一半导体层，

所述第一纳米片包括掺杂有所述第一导电类型的第二掺杂剂的第二半导体层，并且

所述多个纳米片当中所述第一纳米片以外的纳米片包括未掺杂的第三半导体层。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述第一纳米片被配置为形成无结沟道，并且

所述多个纳米片当中所述第一纳米片以外的纳米片各自被配置为形成基于p-n结的沟道。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述第一纳米片包括具有第一组成的第一化合物半导体层，并且

所述多个纳米片当中所述第一纳米片以外的纳米片包括具有不同于所述第一组成的第二组成的第二化合物半导体层。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述第一纳米片被配置为具有比所述多个纳米片当中所述第一纳米片以外的纳米片更低的带隙。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述第一源极/漏极突出区域与所述第一纳米片物理接触并限定所述第一纳米片在所述第一方向上的长度。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述多个纳米片还包括顺序地堆叠在所述第一纳米片上的第二纳米片和第三纳米片，

其中，所述第二纳米片和所述第三纳米片在所述第一方向上具有相同的长度。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述多个纳米片还包括顺序地堆叠在所述第一纳米片上的第二纳米片和第三纳米片，

其中，所述第二纳米片和所述第三纳米片在所述第一方向上具有不同的长度。

9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，

所述源极/漏极区域还包括从所述源极/漏极主区域朝着所述第二纳米片或所述第三纳米片中的任一个突出的第二源极/漏极突出区域，

其中，在所述第一方向上所述第二源极/漏极突出区域的长度小于所述第一源极/漏极突出区域的长度。

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述多个纳米片中的各个纳米片在所述第一方向上的长度在远离所述鳍型有源区的鳍顶表面的方向上增大。

11.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

栅极结构，其包括在所述多个纳米片上在与所述第一方向成平面并与所述第一方向相交的第三方向上延伸的主栅极部分以及连接到所述主栅极部分的多个子栅极部分，所述多个子栅极部分在所述鳍型有源区的鳍顶表面上与所述多个纳米片交替；以及

多个内绝缘间隔件，其在所述多个子栅极部分与所述源极/漏极主区域之间，所述多个内绝缘间隔件在所述第二方向上与所述第一源极/漏极突出区域交叠。