[发明专利]集成电路器件

说明书

一种集成电路(IC)器件包括：在第一方向上纵向延伸的鳍型有源区；在鳍型有源区的鳍顶表面上在第二方向上彼此交叠的多个纳米片；以及在鳍型有源区上并在第一方向上面向所述多个纳米片的源极/漏极区域。所述多个纳米片包括所述多个纳米片当中最靠近鳍型有源区的鳍顶表面并在第一方向上具有最短长度的第一纳米片。源极/漏极区域包括源极/漏极主区域以及从源极/漏极主区域突出的第一源极/漏极突出区域。第一源极/漏极突出区域从源极/漏极主区域朝着第一纳米片突出并在第二方向上与所述多个纳米片的部分交叠。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年5月13日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2019-0055843的优先权，该申请的公开内容整体以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思的实施例涉及集成电路(IC)器件，更具体地，涉及一种包括水平纳米片场效应晶体管(hNSFET)的IC器件。

背景技术

随着IC器件的尺寸缩小，可能可取的是增加衬底上的FET的集成密度。因此，已开发了包括堆叠在相同布局区域上的多个水平纳米片的hNSFET。然而，当电流集中到形成在多个水平纳米片中的多个沟道层中的特定沟道层中时，即使包括在hNSFET中的沟道层的堆叠件的数量增加，在晶体管的导通状态下流动的电流(即，导通电流)可能也不与沟道层的堆叠件的数量成比例地增加。

发明内容

本发明构思提供了一种集成电路(IC)器件，其可减小或最小化在纳米片场效应晶体管(FET)的导通状态下流过纳米片的电流量的偏差并且可改进其导通状态下的性能。

根据本发明构思的一方面，提供了一种IC器件，包括：鳍型有源区，其在第一方向上纵向延伸；多个纳米片，其在鳍型有源区的鳍顶表面上在第二方向上彼此交叠；以及源极/漏极区域，其在鳍型有源区上并在第一方向上面向多个纳米片。多个纳米片包括所述多个纳米片当中最靠近鳍型有源区的鳍顶表面并在第一方向上具有最短长度的第一纳米片。源极/漏极区域包括源极/漏极主区域以及从源极/漏极主区域突出的第一源极/漏极突出区域。第一源极/漏极突出区域从源极/漏极主区域朝着第一纳米片突出并且在第二方向上与多个纳米片的部分交叠。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种IC器件，包括：鳍型有源区，其在第一方向上纵向延伸；一对纳米片堆叠件，纳米片堆叠件中的每一个包括在鳍型有源区上在第二方向上彼此交叠的多个纳米片；以及源极/漏极区域，其在鳍型有源区上在该对纳米片堆叠件之间。多个纳米片包括所述多个纳米片当中最靠近鳍型有源区并在第一方向上具有最短长度的第一纳米片。源极/漏极区域包括：源极/漏极主区域，其在第二方向上不与该对纳米片堆叠件交叠；以及一对第一源极/漏极突出区域，其在相反方向上从源极/漏极主区域朝着该对纳米片堆叠件中的每一个的第一纳米片突出。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种IC器件，包括：鳍型有源区，其在第一方向上纵向延伸；一对源极/漏极区域，其位于鳍型有源区上；以及多个纳米片，其在该对源极/漏极区域之间并在鳍型有源区上在第二方向上彼此交叠。多个纳米片包括在第一方向上具有不同长度的第一纳米片和第二纳米片。该对源极/漏极区域中的每一个包括朝着多个纳米片突出的至少一个源极/漏极突出区域。

附图说明

本发明构思的实施例将从以下结合附图进行的详细描述更清楚地理解，附图中：

图1示出根据本发明构思的一些实施例的集成电路(IC)器件的一些组件的平面布局；

图2A是沿图1的线X-X'截取的截面图；

图2B是图2A中的X1所表示的局部区域的放大截面图；

图3是根据本发明构思的一些实施例的IC器件的截面图，其是与图2A中的X1所表示的部分区域对应的区域的放大截面图；