[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，并在所述衬底上依次形成电极材料层和掩模材料层；

在所述掩模材料层上形成图形化的光阻层，其中覆盖有所述光阻层的区域构成第一区域，以及未覆盖有所述光阻层的区域构成第二区域；

以所述图形化的光阻层为掩模刻蚀所述掩模材料层位于所述第二区域中的部分，以使位于所述第二区域中的掩模材料层的顶表面位置降低至预定高度位置，所述预定高度位置高于所述掩模材料层的底表面位置；

去除所述光阻层，以暴露出所述掩模材料层位于所述第一区域中的部分；以及，

回刻蚀所述掩模材料层，直至从所述第二区域中暴露出所述电极材料层，并使所述第一区域中仍剩余有掩模材料层，剩余的掩模材料层构成图形化的掩模层；以及，

以所述图形化的掩模层为掩模至少部分去除所述第二区域中的电极材料层，并利用剩余的电极材料层构成电极层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，至少部分去除所述第二区域中的电极材料层的方法包括：

执行裁剪工艺，所述裁剪工艺包括利用轰击气体轰击所述第二区域中的电极材料层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述裁剪工艺中的所述轰击气体包括惰性气体。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述惰性气体包括氮气和氩气中的至少一种。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述电极层之后，还包括：去除所述掩模层。

6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述掩模层的方法包括利用刻蚀工艺刻蚀所述掩模层，以及在刻蚀所述掩模层的过程中，所述刻蚀工艺中的刻蚀剂消耗所述电极材料层的厚度小于等于

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，至少部分去除所述第二区域中的电极材料层之前，所述电极材料层的厚度小于等于

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬底上还依次形成有下电极和电极间夹层，以及所述电极材料层形成在所述电极间夹层上。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件包括体声波谐振器。

10.一种利用如权利要求1-10任一项所述的形成方法制备的半导体器件，包括：衬底以及形成在所述衬底上的电极层。