[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在形成图形化的光阻层之前，还在电极材料层上形成掩模材料层，并且在对掩模材料层执行图形化工艺时，仅将光阻层中的电极图形复制至掩模材料层的上部分中，从而在去除光阻层的过程中，可避免用于去除光阻层的剥离液侵蚀电极材料层。以及，在图形化的掩模层的掩模下，结合裁剪工艺进一步图形化电极材料层，以构成电极层，进而可以更为精确的控制电极材料层的消耗量，有利于保障所形成的电极层的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

在制备半导体器件的电极层的过程中，通常会利用剥离工艺(Lift-off)或刻蚀工艺(Etch)。

其中，在利用剥离工艺制备半导体器件中的电极层的方法，例如参考图1a～图1c所示，具体可包括如下步骤。

第一步骤，具体参考图1a所示，提供一衬底10，并在所述衬底10上形成光阻层20，所述光阻层20中还形成有开口，以暴露出其下方的膜层。

第二步骤，具体参考图1b所示，形成电极材料层30，所述电极材料层30具有覆盖所述光阻层20顶表面的第二部分32，以及还具有位于所述开口中的第一部分31。

第三步骤，具体参考图1c所示，去除所述光阻层20，以去除所述电极材料层30中覆盖所述光阻层的第二部分，并保留所述电极材料层的第一部分，以构成电极层30a。

以及，在利用刻蚀工艺制备半导体器件中的电极层的方法，例如参考图2a～图2c所示，具体可包括如下步骤。

第一步骤，具体参考图2a所示，提供一衬底10，并在所述衬底10上形成电极材料层30’。

第二步骤，继续参考图2a所示，在所述电极材料层30’上形成图形化的光阻层20’。

第三步骤，具体参考图2b所示，以所述图形化的电阻层是20’为掩模刻蚀所述电极材料层30’。需要说明的是，由于刻蚀剂对电极材料层30’的消耗量无法精确控制，因此在刻蚀电极材料层30’时，通常需要较长的过刻蚀时间，从而会导致电极材料层30’中被光阻层20’覆盖的部分被大量的侧向侵蚀。

第四步骤，具体参考图2c所示，去除所述光阻层，以暴露出剩余的电极材料层，并构成电极层30a’。

需要说明的是，无论是采用剥离工艺制备电极层，或者是采用刻蚀工艺制备电极层，其在去除所述光阻层时均是利用剥离液剥离所述光阻层，然而在剥离所述光阻层的同时，所述剥离液通常还会侵蚀电极材料层，从而导致所形成的电极层受到损耗。具体参考图1c和图2c所示，在去除光阻层的过程中，由于受到剥离液的侵蚀会导致所形成的电极层的厚度减小。尤其是针对厚度较薄的电极层而言，少量的损耗都会对电极层造成不良影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的形成方法，以解决现有的形成方法中容易导致电极层被消耗而影响其性能的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：

提供一衬底，并在所述衬底上依次形成电极材料层和掩模材料层；

在所述掩模材料层上形成图形化的光阻层，所述图形化的光阻层部分覆盖所述掩模材料层，其中覆盖有所述光阻层的区域构成第一区域，以及未覆盖有所述光阻层的区域构成第二区域；

以所述图形化的光阻层为掩模刻蚀所述掩模材料层位于所述第二区域中的部分，以使位于所述第二区域中的掩模材料层的顶表面位置降低至预定高度位置，所述预定高度位置高于所述掩模材料层的底表面位置；

去除所述光阻层，以暴露出所述掩模材料层位于所述第一区域中的部分；以及，