[发明专利]流体杀菌装置在审
申请号: | 202010085858.8 | 申请日: | 2020-02-11 |
公开(公告)号: | CN111732158A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 樱井公人;加藤刚雄;藤冈纯;田中贵章;聂栋兴 | 申请(专利权)人: | 东芝照明技术株式会社 |
主分类号: | C02F1/32 | 分类号: | C02F1/32;A61L9/20;B01D53/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 日本神奈川县横*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流体 杀菌 装置 | ||
1.一种流体杀菌装置,包括:
处理室,对流体进行处理;
光源室,设置有朝向所述处理室照射紫外线的光源;
分隔构件,具有紫外线透过性,将所述处理室与所述光源室加以划分;以及
第一膜,将与所述处理室相向的所述分隔构件的第一面加以覆盖。
2.根据权利要求1所述的流体杀菌装置,其中,
所述第一膜为氟系树脂。
3.根据权利要求1或2所述的流体杀菌装置,其中,
所述第一膜的厚度为10nm以下。
4.一种流体杀菌装置,包括:
处理室,对流体进行处理;
光源室,设置有朝向所述处理室照射紫外线的光源;
分隔构件,具有紫外线透过性,将所述处理室与所述光源室加以划分;以及
第二膜,将与所述光源室相向的所述分隔构件的第二面加以覆盖。
5.根据权利要求4所述的流体杀菌装置,其中,
所述第二膜是抑制由所述光源照射的紫外光的反射的抗反射膜。
6.根据权利要求4或5所述的流体杀菌装置,其中,
所述第二膜的厚度为30nm以上、60nm以下。
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