[发明专利]流体杀菌装置在审

专利信息
申请号: 202010085858.8 申请日: 2020-02-11
公开(公告)号: CN111732158A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 樱井公人;加藤刚雄;藤冈纯;田中贵章;聂栋兴 申请(专利权)人: 东芝照明技术株式会社
主分类号: C02F1/32 分类号: C02F1/32;A61L9/20;B01D53/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 日本神奈川县横*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 流体 杀菌 装置
【权利要求书】:

1.一种流体杀菌装置,包括:

处理室,对流体进行处理;

光源室,设置有朝向所述处理室照射紫外线的光源;

分隔构件,具有紫外线透过性,将所述处理室与所述光源室加以划分;以及

第一膜,将与所述处理室相向的所述分隔构件的第一面加以覆盖。

2.根据权利要求1所述的流体杀菌装置,其中,

所述第一膜为氟系树脂。

3.根据权利要求1或2所述的流体杀菌装置,其中,

所述第一膜的厚度为10nm以下。

4.一种流体杀菌装置,包括:

处理室,对流体进行处理;

光源室,设置有朝向所述处理室照射紫外线的光源;

分隔构件,具有紫外线透过性,将所述处理室与所述光源室加以划分;以及

第二膜,将与所述光源室相向的所述分隔构件的第二面加以覆盖。

5.根据权利要求4所述的流体杀菌装置,其中,

所述第二膜是抑制由所述光源照射的紫外光的反射的抗反射膜。

6.根据权利要求4或5所述的流体杀菌装置,其中,

所述第二膜的厚度为30nm以上、60nm以下。

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