[发明专利]一种存储器及其控制方法与存储系统有效
申请号: | 202010088755.7 | 申请日: | 2020-02-12 |
公开(公告)号: | CN111309642B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 林毅泓;赵启鹏 | 申请(专利权)人: | 合肥康芯威存储技术有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G11C16/34 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 230601 安徽省合肥市经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储器 及其 控制 方法 存储系统 | ||
1.一种存储器,其特征在于,包括,
存储单元阵列,包括多个第一存储单元及多个第二存储单元,其中所述第一存储单元包括单层存储单元,所述第二存储单元包括多层存储单元,三层存储单元,四层存储单元中的至少一种;
控制器,设有第一擦除次数表,第二擦除次数表及第三擦除次数表,所述第一擦除次数表记录每一所述第一存储单元的擦除次数,所述第二擦除次数表记录每一所述第二存储单元的擦除次数;
其中所述第三擦除次数表为所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数与所述多个存储单元在所述第二擦除次数表中的擦除次数的比值,所述第三擦除次数按照所述多个存储单元的顺序排列;
其中,当所述存储单元阵列在存储数据时,所述存储单元阵列中的多个存储单元允许当作所述第一存储单元及所述第二存储单元,所述控制器形成第三擦除次数表,并根据所述第三擦除次数表,将所述多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元;
其中,当所述第三擦除次数表中的最小值小于阈值时,将所述多个存储单元当作所述第一存储单元,同时增加所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数,并更新所述第三擦除次数表;
其中,当所述第三擦除次数表中的最大值大于阈值时,将所述多个存储单元当作所述第二存储单元,同时增加所述多个存储单元在所述第二擦除次数表中的擦除次数,并更新所述第三擦除次数表。
2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,当所述多个第一存储单元进行擦除步骤时,形成所述第一擦除次数表,所述第一擦除次数表按照所述多个第一存储单元的顺序进行排列。
3.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,当所述多个第二存储单元进行擦除步骤时,形成所述第二擦除次数表,所述第二擦除次数表按照所述多个第二存储单元的顺序进行排列。
4.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,当所述存储单元阵列中的多个存储单元属于所述第一存储单元及所述第二存储单元时,在所述第一擦除次数表中找到所述多个存储单元的擦除次数,以及在所述第二擦除次数中找到所述多个存储单元的擦除次数。
5.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,当所述第三擦除次数表中的所有值大于阈值时,将所述第一存储单元内的数据移入所述第二存储单元内。
6.一种存储器的控制方法,其特征在于,包括,
通过控制器形成第一擦除次数表及第二擦除次数表,所述第一擦除次数表记录多个第一存储单元的擦除次数,所述第二擦除次数表记录多个第二存储单元的擦除次数,多个所述第一存储单元及所述第二存储单元形成存储单元阵列;
通过所述控制器形成第三擦除次数表,并根据所述第三擦除次数表,将所述存储单元阵列中的多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元,其中所述第三擦除次数表为所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数与所述多个存储单元在所述第二擦除次数表中的擦除次数的比值,所述第三擦除次数按照所述多个存储单元的顺序排列;
其中,当所述第三擦除次数表中的最小值小于阈值时,将所述多个存储单元当作所述第一存储单元,同时增加所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数,并更新所述第三擦除次数表;
其中,当所述第三擦除次数表中的最大值大于阈值时,将所述多个存储单元当作所述第二存储单元,同时增加所述多个存储单元在所述第二擦除次数表中的擦除次数,并更新所述第三擦除次数表;
所述控制器将接收到的数据存放在所述第一存储单元或第二存储单元中,其中所述第一存储单元包括单层存储单元,所述第二存储单元包括多层存储单元,三层存储单元,四层存储单元中的至少一种。
7.一种存储系统,其特征在于,包括,
主机;
存储器,连接所述主机,其中,所述存储器包括:
存储单元阵列,包括多个第一存储单元及多个第二存储单元,其中所述第一存储单元包括单层存储单元,所述第二存储单元包括多层存储单元,三层存储单元,四层存储单元中的至少一种;
控制器,设有第一擦除次数表,第二擦除次数表及第三擦除次数表,所述第一擦除次数表记录每一所述第一存储单元的擦除次数,所述第二擦除次数表记录每一所述第二存储单元的擦除次数,其中所述第三擦除次数表为所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数与所述多个存储单元在所述第二擦除次数表中的擦除次数的比值,所述第三擦除次数按照所述多个存储单元的顺序排列;
其中,当所述存储单元阵列在存储数据时,所述存储单元阵列中的多个存储单元允许当作所述第一存储单元及所述第二存储单元,所述控制器形成第三擦除次数表,并根据所述第三擦除次数表,将所述多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元;
其中,当所述第三擦除次数表中的最小值小于阈值时,将所述多个存储单元当作所述第一存储单元,同时增加所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数,并更新所述第三擦除次数表;
其中,当所述第三擦除次数表中的最大值大于阈值时,将所述多个存储单元当作所述第二存储单元,同时增加所述多个存储单元在所述第二擦除次数表中的擦除次数,并更新所述第三擦除次数表。
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