[发明专利]一种存储器及其控制方法与存储系统

说明书

本发明提出一种存储器及其控制方法与存储系统，包括，存储单元阵列，包括多个第一存储单元及多个第二存储单元；控制器，设有第一擦除次数表，第二擦除次数表及第三擦除次数表，所述第一擦除次数表记录每一所述第一存储单元的擦除次数，所述第二擦除次数表记录每一所述第二存储单元的擦除次数；其中，当所述存储单元阵列在存储数据时，所述存储单元阵列中的多个存储单元允许当作所述第一存储单元及所述第二存储单元，所述控制器形成第三擦除次数表，并根据所述第三擦除次数表，将所述多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元。本发明提出的存储器使用寿命长。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，特别涉及一种存储器及其控制方法与存储系统。

背景技术

大容量存储设备通常包括多个存储器设备。存储器设备用于存储数据，并且可以分为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。闪存设备是电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的示例，其中在单个编程操作中对多个存储器单元进行擦除或编程。对每个页执行编程或读操作，并且对每个块执行擦除操作。块可以包括多个页。

然而，闪存设备中的可擦除次数是有限制的，当擦除达到一定数量的时候，闪存设备将不再可用。而块中包含的数据随着技术的发展还有增多的趋势，因此存储设备的使用寿命缩短，使用成本提高。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种存储器及其控制方法，以延长存储器的使用寿命，同时还可以提高存储器内存。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种存储器，包括：

存储单元阵列，包括多个第一存储单元及多个第二存储单元；

控制器，设有第一擦除次数表，第二擦除次数表及第三擦除次数表，所述第一擦除次数表记录每一所述第一存储单元的擦除次数，所述第二擦除次数表记录每一所述第二存储单元的擦除次数；

其中，当所述存储单元阵列在存储数据时，所述存储单元阵列中的多个存储单元允许当作所述第一存储单元及所述第二存储单元，所述控制器形成第三擦除次数表，并根据所述第三擦除次数表，将所述多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元。

进一步地，当所述多个第一存储单元进行擦除步骤时，形成所述第一擦除次数表，所述第一擦除次数表按照所述多个第一存储单元的顺序进行排列。

进一步地，当所述多个第二存储单元进行擦除步骤时，形成所述第二擦除次数表，所述第二擦除次数表按照所述多个第二存储单元的顺序进行排列。

进一步地，当所述存储单元阵列中的多个存储单元属于所述第一存储单元及所述第二存储单元时，在所述第一擦除次数表中找到所述多个存储单元的擦除次数，以及在所述第二擦除次数中找到所述多个存储单元的擦除次数。

进一步地，所述第三擦除次数表为所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数与所述多个存储单元在所述第二擦除次数表中的擦除次数的比值，所述第三擦除次数按照所述多个存储单元的顺序排列。

进一步地，当所述第三擦除次数表中的最小值小于阈值时，将所述多个存储单元当作所述第一存储单元，同时增加所述多个存储单元在所述第一擦除次数表中的擦除次数，并更新所述第三擦除次数表。

进一步地，当所述第三擦除次数表中的最大值大于阈值时，将所述多个存储单元当作所述第二存储单元，同时增加所述多个存储单元在所述第二擦除次数表中的擦除次数，并更新所述第三擦除次数表。

进一步地，当所述第三擦除次数表中的所有值大于阈值时，将所述第一存储单元内的数据移入所述第二存储单元内。

进一步地，所述第一存储单元包括单层存储单元，所述第二存储单元包括多层存储单元，三层存储单元，四层存储单元中的至少一种。

进一步地，本发明提出一种存储器的控制方法，包括，