[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202010089629.3 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111584613A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 内田正雄;斋藤浩一;长谷川贵史 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
1.一种半导体元件，具备；
单导电型的半导体基板，具有主面以及背面，该背面位于与所述主面相反的一侧；
单导电型的碳化硅半导体层，配置在所述半导体基板的所述主面上；
末端区域，配置在所述碳化硅半导体层内，并且配置在所述碳化硅半导体层的中央区域的周围；
绝缘膜，覆盖所述末端区域的一部分，使其他部分露出；
第1电极，配置在所述碳化硅半导体层的所述中央区域的至少一部分上；
第2电极，配置在所述半导体基板的所述背面上，与所述半导体基板形成欧姆结；
密封环，配置在所述末端区域的所述其他部分上且配置在所述第1电极的周围；以及
钝化膜，覆盖所述绝缘膜的至少一部分以及所述密封环的至少一部分，包含有机膜，
在从与所述主面垂直的方向观察时，
所述钝化膜的外周端部包围所述密封环的外周端部，
所述碳化硅半导体层具有四边形的形状，
所述碳化硅半导体层的所述四边形的边部的从所述密封环的所述外周端部到所述钝化膜的所述外周端部的距离L2、所述碳化硅半导体层的所述四边形的角部的从所述密封环的所述外周端部到所述钝化膜的所述外周端部的距离L1、所述碳化硅半导体层的所述角部的所述钝化膜的所述外周端部的曲率半径R1，满足L1＞L2且R1≥L2。
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
所述距离L2为5μm以上且25μm以下。
3.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
在从与所述主面垂直的方向观察时，所述碳化硅半导体层的所述角部的所述钝化膜的所述外周端部的曲率中心位于由所述密封环的所述外周端部包围的区域内。
4.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
在将从与所述主面垂直的方向观察时的所述角部的所述密封环的外周端部的曲率半径设为R5时，满足R1＜R5。
5.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
所述密封环包含金属。
6.根据权利要求5所述的半导体元件，其中，
在所述第1电极上，具备包含与所述密封环相同材料的金属的表面电极。
7.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
所述第1电极与所述碳化硅半导体层形成肖特基结。
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