[发明专利]半导体元件

说明书

本公开提供一种高耐压且高可靠性的半导体元件。半导体元件具备；半导体基板，具有主面；碳化硅半导体层，配置在导体基板的主面上；末端区域，配置在碳化硅半导体层内；绝缘膜，覆盖末端区域的一部分；电极，配置在碳化硅半导体层上；密封环，配置在末端区域的其他部分上且包围电极；以及钝化膜，覆盖绝缘膜的至少一部分以及密封环的至少一部分。将碳化硅半导体层的边部的从密封环的外周端部到钝化膜的外周端部为止的距离设为L2，将角部的从密封环的外周端部到钝化膜的外周端部为止的距离设为L1，将角部的钝化膜的外周端部的曲率半径设为R1，则满足L1＞L2且R1≥L2。

技术领域

本公开涉及半导体元件。

背景技术

碳化硅(Silicon carbide：SiC)是与硅(Si)相比带隙大且硬度高的半导体材料。SiC例如应用于开关元件以及整流元件等半导体元件。使用了SiC的半导体元件与使用了Si的半导体元件相比，例如具有能够降低功率损失的优点。

使用了SiC的代表性半导体元件是金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor：MISFET)以及肖特基势垒二极管(Schottky-Barrier Diode：SBD)。金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：MOSFET)是MISFET的一种。此外，结型势垒肖特基二极管(Juction-Barrier Schottky Diode：JBS)是SBD的一种。

使用了SiC的半导体元件(以下称为“SiC半导体元件”)具有半导体基板、和配置在半导体基板的主面上的由SiC形成的半导体层。在半导体层的上方，作为表面电极而配置有与元件外部电连接的电极。在SiC半导体元件的末端或者周边，在半导体层设置有用于缓和电场的末端构造。此外，为了提高耐湿性，有时在半导体层的端部的主面上形成环状的层。此外，在封装化或者模块化半导体元件时，为了抑制由来自覆盖半导体元件的树脂的干扰导致的构造破坏，配置有覆盖末端构造的钝化膜(参照专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6030806号公报

发明内容

发明要解决的课题

本公开的一个方式提供一种高耐压且高可靠性的半导体元件。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本公开的一个方式所涉及的半导体元件具备半导体基板、碳化硅半导体层、末端区域、绝缘膜、第1电极、第2电极、密封环以及钝化膜。半导体基板具有主面以及背面，并且为单导电型。碳化硅半导体层配置在半导体基板的主面上，并且为单导电型。末端区域配置在碳化硅半导体层内，包围碳化硅半导体层的中央区域。绝缘膜覆盖末端区域的一部分，使其他部分露出。第1电极配置在碳化硅半导体层的中央区域的至少一部分上。第2电极配置在半导体基板的背面上，与半导体基板形成欧姆结。密封环配置在末端区域的其他部分上，包围第1电极。钝化膜覆盖绝缘膜的至少一部分以及密封环的至少一部分，并且包含有机膜。而且，从与半导体基板的主面垂直的方向观察时，钝化膜的外周端部包围密封环的外周端部，碳化硅半导体层具有四边形状。此外，将碳化硅半导体层的边部的从密封环的外周端部到钝化膜的外周端部的距离设为L2。将碳化硅半导体层的角部的从密封环的外周端部到钝化膜的外周端部的距离设为L1。将碳化硅半导体层的角部的钝化膜的外周端部的曲率半径设为R1。此时，满足L1＞L2且R1≥L2的关系。

发明效果

根据本公开的一个方式，提供一种高耐压且可靠性高的半导体元件。

附图说明

图1是表示本公开的实施方式的半导体元件1000的剖面的图。