[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法在审
申请号: | 202010090029.9 | 申请日: | 2020-02-13 |
公开(公告)号: | CN111584546A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 李东敏;孙尙佑;杨受京;宋都根;高京秀;金湘甲;申相原;申铉亿;吕伦钟;李俊杰 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一信号线,包括设置在基板上且包含铝的第一层、设置在所述第一层上且包含氮化钛的第二层和设置在所述第二层上且包含钛的第三层;
第二信号线,与所述第一信号线交叉;
第一晶体管,包括连接到所述第一信号线的第一栅电极和连接到所述第二信号线的第一源电极;以及
有机发光二极管,设置在所述基板的显示区域中,以产生与施加到所述第二信号线的数据信号对应的光。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一层包括包含镍和镧的铝合金。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述镍为从0.01at%至0.05at%的范围,所述镧为从0.02at%至0.05at%的范围,并且所述铝合金中的所述镍和所述镧的总量小于0.1at%。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,包含在所述第二层中的所述氮化钛的组成比N/Ti为0.9N at%/Ti at%1.2。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二层的厚度在和之间。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三层的厚度在和之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一栅电极包括包含铝或铝合金的第一层、设置在所述第一层上且包含氮化钛的第二层和设置在所述第二层上且包含钛的第三层。
8.根据权利要求7所述的显示装置,所述显示装置还包括:
电容器,包括第一电容器电极和设置在所述第一电容器电极上同时与所述第一电容器电极交叠的第二电容器电极,
其中,所述第一电容器电极和所述第二电容器电极均包括包含铝或铝合金的第一层、设置在所述第一层上且包含氮化钛的第二层和设置在所述第二层上且包含钛的第三层。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一电容器电极的所述第三层具有等于所述第一栅电极的所述第三层的厚度的厚度,并且
所述第二电容器电极的所述第三层具有比所述第一栅电极的所述第三层的厚度厚的厚度。
10.根据权利要求8所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第二晶体管,连接到所述电容器,
其中,所述第二晶体管的第二栅电极包括包含铝或铝合金的第一层、设置在所述第一层上且包含氮化钛的第二层和设置在所述第二层上且包含钛的第三层,并且
其中,所述第二栅电极的所述第三层具有等于所述第二电容器电极的所述第三层的厚度的厚度。
11.根据权利要求10所述的显示装置,所述显示装置还包括:
焊盘电极,设置在围绕所述显示区域的外围区域中,
其中,所述焊盘电极包括包含铝或铝合金的第一层、设置在所述第一层上且包含氮化钛的第二层和设置在所述第二层上且包含钛的第三层。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一信号线、所述第一栅电极、所述第一电容器电极、所述第二电容器电极、所述第二栅电极和所述焊盘电极均还包括设置在所述第三层上且包含氮化钛的第四层。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述第四层的厚度在和之间。
14.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
形成第一信号线,所述第一信号线包括设置在基板上且包含铝的第一层、设置在所述第一层上且包含氮化钛的第二层和设置在所述第二层上且包含钛的第三层;
形成与所述第一信号线交叉的第二信号线;
形成第一晶体管,所述第一晶体管包括连接到所述第一信号线的栅电极和连接到所述第二信号线的源电极;以及
在所述基板的显示区域中形成有机发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的