[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法在审
申请号: | 202010090029.9 | 申请日: | 2020-02-13 |
公开(公告)号: | CN111584546A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 李东敏;孙尙佑;杨受京;宋都根;高京秀;金湘甲;申相原;申铉亿;吕伦钟;李俊杰 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
本公开涉及一种显示装置,包括:第一信号线,包括设置在基板上且包含铝的第一层、设置在所述第一层上且包含氮化钛的第二层和设置在所述第二层上且包含钛的第三层;第二信号线,与所述第一信号线交叉;第一晶体管,包括连接到所述第一信号线的第一栅电极和连接到所述第二信号线的第一源电极;以及有机发光二极管,设置在所述基板的显示区域中,以产生与施加到所述第二信号线的数据信号对应的光。
技术领域
本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法。更具体地,本公开涉及包括低电阻信号线和信号电极的显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
随着用于可视地表达各种电信号信息的显示装置的迅速发展,已经使用了具有诸如较小厚度、较轻重量和较低功耗之类的优异性能的各种平板显示装置。在平板显示装置中,液晶显示装置和有机发光二极管显示装置由于其优异的分辨率、图像质量等而被广泛商业化。特别是,因为有机发光二极管显示装置具有快响应速度、低功耗、自发光功能和优异的视角,所以有机发光二极管显示装置已作为下一代平板显示装置而受到关注。
近来,对具有高分辨率的显示装置的需求不断增长。因此,正在进行研究以增加每单位面积的像素数量。同时,为了快速处理施加到高分辨率显示装置的视频信号,对低电阻导线的需求正在增长。为此,已经研究了使用铝(Al)等作为导线的材料来代替传统的钼(Mo)等的方法。
发明内容
一些示例实施例提供了包括低电阻信号线和信号电极的显示装置。
一些示例实施例提供了制造显示装置的方法。
根据示例实施例,一种显示装置可以包括:第一信号线,包括设置在基板上且包含铝(Al)的第一层、设置在所述第一层上且包含氮化钛(TiNx)的第二层和设置在所述第二层上且包含钛(Ti)的第三层;第二信号线,与所述第一信号线交叉;第一晶体管,包括连接到所述第一信号线的第一栅电极和连接到所述第二信号线的第一源电极;以及有机发光二极管,设置在所述基板的显示区域中,以产生与施加到所述第二信号线的数据信号对应的光。
在示例实施例中,所述第一层可以包括包含镍(Ni)和镧(La)的铝合金。
在示例实施例中,所述镍(Ni)可以为从大约0.01at%至大约0.05at%的范围,所述镧(La)可以为从大约0.02at%至大约0.05at%的范围,并且所述铝合金中的所述镍(Ni)和所述镧(La)的总量可以小于0.1at%。
在示例实施例中,包含在所述第二层中的所述氮化钛(TiNx)的组成比N/Ti可以为0.9N at%/Ti at%1.2。
在示例实施例中,所述第二层的厚度可以在大约和大约之间。
在示例实施例中,所述第三层的厚度可以在大约和大约之间。
在示例实施例中,所述第一栅电极可以包括包含铝(Al)或铝合金的第一层、设置在所述第一层上且包含氮化钛(TiNx)的第二层和设置在所述第二层上且包含钛(Ti)的第三层。
在示例实施例中,所述显示装置还可以包括:电容器,包括第一电容器电极和设置在所述第一电容器电极上同时与所述第一电容器电极交叠的第二电容器电极。此外,所述第一电容器电极和所述第二电容器电极均可以包括包含铝(Al)或铝合金的第一层、设置在所述第一层上且包含氮化钛(TiNx)的第二层和设置在所述第二层上且包含钛(Ti)的第三层。
在示例实施例中,所述第一电容器电极的所述第三层可以具有等于所述第一栅电极的所述第三层的厚度的厚度。另外,所述第二电容器电极的所述第三层可以具有比所述第一栅电极的所述第三层的厚度厚的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010090029.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的