[发明专利]电压基准源电路

权利要求书

1.一种电压基准源电路，其特征在于，包括：

第一基准源电路单元，用于产生一个第一参考电压；

第二基准源电路单元，用于产生一个输出电压可调的第二参考电压；

电压比较器，用于比较第一参考电压和第二参考电压的大小，第一基准源电路单元的输出端与电压比较器的正输入端相连，第二基准源电路单元的输出端与电压比较器的负输入端相连；

控制电路单元，电压比较器的输出端与控制电路单元的输入端相连，控制电路单元的第一输出端与第一基准源电路单元的使能控制信号端相连，控制电路单元的第二输出端与第二基准源电路单元的输入控制信号端相连，所述控制电路单元根据所述电压比较器的输出来调节所述第二参考电压和第一基准源电路单元的使能信号；

其中，所述第二基准源电路单元，包括：低阈值NMOS晶体管、中阈值NMOS晶体管、高阈值NMOS晶体管以及开关NMOS晶体管；所述低阈值NMOS晶体管的漏极接电源电压VDD，低阈值NMOS晶体管的栅极接地，中阈值NMOS晶体管的栅极、漏极接低阈值NMOS晶体管的源极，高阈值NMOS晶体管的栅极接到中阈值NMOS晶体管的栅极，高阈值NMOS晶体管的漏极和中阈值NMOS晶体管的源极接第二参考电压的输出端，开关NMOS晶体管的漏极分别接高阈值NMOS晶体管的源极，开关NMOS晶体管的栅极分别接输入端，开关NMOS晶体管的源极接地。

2.根据权利要求1所述的电压基准源电路，其特征在于，所述第一基准源电路单元，包括：

NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻，第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管以及运算放大器。

3.根据权利要求2所述的电压基准源电路，其特征在于，第一基准源电路单元的连接关系，包括：

NMOS晶体管的源极接电源电压VDD，NMOS晶体管的栅极接使能控制信号端，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管的源极接NMOS晶体管的漏极，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管的栅极全部接在运算放大器的输出端，第一PMOS晶体管的漏极、运算放大器的正输入端和第一电阻、第二电阻的一端接在一起，第一电阻的另一端接地，第二电阻的另一端接第二双极结型晶体管的发射极，第二双极结型晶体管的基极和集电极接地，第二PMOS晶体管的漏极、运算放大器的负输入端和第三电阻的一端、第一双极结型晶体管的发射极接在一起，第三电阻的另一端接地，第一双极结型晶体管的集电极和基极接地，第三PMOS晶体管的漏极和第四电阻的一端接到第一参考电压输出端，第四电阻的另一端接地。

4.一种根据权利要求1-3任意一项所述的电压基准源电路的自调节方法，其特征在于，包括：

打开第一基准源电路；

电压比较器判断所述第一参考电压和所述第二参考电压的大小；

当所述第一参考电压与所述第二参考电压不相等时，调整所述第二参考电压，当所述第一参考电压与所述第二参考电压相等时，则关闭第一基准源电路；

当第一基准源电路的关闭时间达到预设时间后，重复执行上述步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

当第一参考电压大于第二参考电压的最大调节值时，第二参考电压调节到最大值；

当第一参考电压小于第二参考电压的最小调节值时，第二参考电压调节到最小值。