[发明专利]电压基准源电路

说明书

本发明公开了一种电压基准源电路，包括：第一基准源电路单元，用于产生一个第一参考电压；第二基准源电路单元，用于产生一个输出电压可调的第二参考电压；电压比较器，用于比较第一参考电压和第二参考电压的大小，第一基准源电路单元的输出端与电压比较器的正输入端相连，第二基准源电路单元的输出端与电压比较器的负输入端相连，控制电路单元，电压比较器的输出端与控制电路单元的输入端相连，控制电路单元的第一输出端与第一基准源电路单元的使能控制信号端相连，控制电路单元的第二输出端与第二基准源电路单元的输入控制信号端相连。通过上述设计，实现了一种低功耗高精度基准源电路。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种电压基准源电路以及一种电压基准源电路的自调节方法。

背景技术

电压基准电路是所有电子系统中必不可少的一部分，在物联网和大多数无线通讯领域中，由于都是电池供电或者自供能，系统对于功耗的要求非常高，开发出低功耗的模块已经迫在眉睫。传统基准源电路使用双极性晶体管来提供基准电压，温度系数低，精度高，但是功耗高。近年来，为了降低功耗，多采用工作在亚阈值区的场效应管来替代双极性晶体管。而场效应管的阈值电压随工艺的影响较大，精度差，温度系数高。

因此，研制出一种低功耗高精度的电压基准电路具有重要意义。

发明内容

本公开实施例提供了一种电压基准源电路以及一种电压基准源电路的自调节方法。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。

在一些可选地实施例中，一种电压基准源电路，包括：

第一基准源电路单元，用于产生一个第一参考电压；

第二基准源电路单元，用于产生一个输出电压可调的第二参考电压；

电压比较器，用于比较第一参考电压和第二参考电压的大小，第一基准源电路单元的输出端与电压比较器的正输入端相连，第二基准源电路单元的输出端与电压比较器的负输入端相连；

控制电路单元，电压比较器的输出端与控制电路单元的输入端相连，控制电路单元的第一输出端与第一基准源电路单元的使能控制信号端相连，控制电路单元的第二输出端与第二基准源电路单元的输入控制信号端相连，所述控制电路单元根据所述电压比较器的输出来调节所述第二参考电压和第一基准源电路单元的使能信号。

进一步地，所述第一基准源电路单元，包括：

NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻，第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管以及运算放大器。

进一步地，第一基准源电路单元的连接关系，包括：

NMOS晶体管的源极接电源电压VDD，NMOS晶体管的栅极接使能控制信号端，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管的源极接NMOS晶体管的漏极，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管的栅极全部接在运算放大器的输出端，第一PMOS晶体管的漏极、运算放大器的正输入端和第一电阻、第二电阻的一端接在一起，第一电阻的另一端接地，第二电阻的另一端接第二双极结型晶体管的发射极，第二双极结型晶体管的基极和集电极接地，第二PMOS晶体管的漏极、运算放大器的负输入端和第三电阻的一端、第一双极结型晶体管的发射极接在一起，第三电阻的另一端接地，第一双极结型晶体管的集电极和基极接地，第三PMOS晶体管的漏极和第四电阻的一端接到第一参考电压输出端，第四电阻的另一端接地。

进一步地，所述第二基准源电路单元，包括：

低阈值NMOS晶体管、中阈值NMOS晶体管、高阈值NMOS晶体管以及开关NMOS晶体管。