[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，该晶片在由多条第1分割预定线和与该第1分割预定线交叉的多条第2分割预定线划分的多个区域的正面侧形成有器件，其特征在于，

该晶片的加工方法具有如下的步骤：

保护部件粘贴步骤，在该晶片的正面侧粘贴保护部件；

第1步骤，在使对于该晶片具有透过性的激光束的聚光点的高度与隔着该保护部件被卡盘工作台保持的该晶片的内部中的位于该晶片的正面侧的第1区域的高度一致的状态下，从该晶片的背面侧沿着多条该第1分割预定线照射该激光束，接着，使激光束的聚光点与向该晶片的背面侧偏移后的高度一致，沿着该第1分割预定线照射，从而在该第1区域中，沿着该第1分割预定线形成作为该晶片的分割起点而发挥功能的多个第1改质层；

第2步骤，在实施了该第1步骤之后，在使该激光束的聚光点的高度与该晶片的内部中的位于该晶片的正面侧的第1区域的高度一致的状态下，从该晶片的背面侧沿着多条该第2分割预定线照射该激光束，接着，使激光束的聚光点与向该晶片的背面侧偏移后的高度一致，沿着该第2分割预定线照射，从而在该第1区域中，沿着该第2分割预定线形成作为该晶片的分割起点而发挥功能的多个第1改质层；

在第2区域中沿着该第1分割预定线形成第2改质层的第3步骤，在实施了该第2步骤之后，在使该激光束的聚光点的高度与该晶片的内部中的位于该晶片的背面侧的该第2区域的高度一致的状态下，从该晶片的背面侧沿着多条该第1分割预定线照射该激光束，接着，使激光束的聚光点与向该晶片的背面侧偏移后的高度一致，沿着该第1分割预定线照射，从而在该第2区域中，沿着该第1分割预定线形成作为该晶片的分割起点而发挥功能的多个该第2改质层，并且形成从该晶片的正面至背面的龟裂，沿着多条该第1分割预定线对该晶片进行分割；

在该第2区域中沿着该第2分割预定线形成第2改质层的第4步骤，在实施了该第3步骤之后，在使该激光束的聚光点的高度与该晶片的内部中的位于该晶片的背面侧的第2区域的高度一致的状态下，从该晶片的背面侧沿着多条该第2分割预定线照射该激光束，接着，使激光束的聚光点与向该晶片的背面侧偏移后的高度一致，沿着该第2分割预定线照射，从而在该第2区域中，沿着该第2分割预定线形成作为该晶片的分割起点而发挥功能的多个第2改质层，并且形成该第2分割预定线的从该晶片的正面至背面的龟裂，沿着多条该第2分割预定线对该晶片进行分割；以及

磨削步骤，在实施了该第4步骤之后，对该晶片的背面侧进行磨削而使该晶片薄化至规定的厚度。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在该第1步骤和该第2步骤中，产生从该第1改质层至该晶片的正面的龟裂。

3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在该第1步骤和该第2步骤中，以使该晶片的正面与该第1改质层的距离比该规定的厚度大的方式形成该第1改质层，

在该磨削步骤中，通过使该晶片薄化至该规定的厚度而去除该第1改质层。