[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，能够抑制由激光束的照射而引起的器件的损伤。一种晶片的加工方法，该晶片在由多条第1分割预定线和多条第2分割预定线划分的多个区域的正面侧形成有器件，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1改质层形成步骤，在使激光束的聚光点的高度与晶片的内部中的位于晶片的正面侧的第1区域的高度一致的状态下照射激光束，从而在第1区域中形成第1改质层；以及第2改质层形成步骤，在使激光束的聚光点的高度与晶片的内部中的位于晶片的背面侧的第2区域的高度一致的情况下照射激光束，从而在第2区域中形成第2改质层，并且形成从晶片的正面至背面的龟裂，沿着多条第1分割预定线和多条第2分割预定线对晶片进行分割。

技术领域

本发明涉及形成有器件的晶片的加工方法。

背景技术

在器件芯片的制造工序中，使用在由相互交叉的多条分割预定线(间隔道)划分的多个区域中分别形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large ScaleIntegration：大规模集成电路)等器件的晶片。通过沿着分割预定线分割该晶片，能够得到分别具有器件的多个器件芯片。

在晶片的分割中例如使用具有主轴(旋转轴)的切削装置，该主轴(旋转轴)安装有对晶片进行切削的圆环状的切削刀具。通过使切削刀具旋转并沿着分割预定线切入晶片，从而沿着分割预定线切断、分割晶片。

另一方面，近年来，着眼于通过激光加工来分割晶片的技术。例如，提出了如下的方法(参照专利文献1)：使对于晶片具有透过性的激光束聚光在晶片的内部，在晶片的内部沿着分割预定线形成被改质的区域(改质层)。形成有改质层的区域比晶片的其他区域脆。因此，当对形成有改质层的晶片施加外力时，以改质层为起点沿着分割预定线分割晶片。

在形成有改质层的晶片上粘贴有例如能够通过施加外力而扩展的片(扩展片)。通过扩展该片，对晶片施加外力，从而沿着分割预定线分割晶片。另外，还提出了如下的方法(参照专利文献2)：通过对形成有改质层的晶片实施磨削加工，从改质层产生裂纹来分割晶片。

专利文献1：日本特开2011-49454号公报

专利文献2：日本特开2015-37172号公报

如上所述，在通过激光加工对晶片进行分割的情况下，根据晶片的厚度和材质等，有时沿着各分割预定线在晶片的厚度方向上形成多层改质层。该多层改质层例如是通过一边使激光束的聚光点的铅垂方向上的位置(高度)从晶片的下表面侧朝向上表面侧阶段性地改变，一边沿着一条分割预定线从晶片的上表面侧(背面侧)各照射多次激光束而形成的。由此，例如即使在晶片比较厚的情况下，也以改质层为起点适当地分割晶片。

这里，在沿着相互交叉的第1分割预定线和第2分割预定线分别形成多层改质层的情况下，通常，从晶片的下表面侧到上表面侧形成沿着第1分割预定线的多层改质层，然后，从晶片的下表面侧到上表面侧形成沿着第2分割预定线的多层改质层。因此，在沿着第2分割预定线形成改质层时，在第1分割预定线与第2分割预定线的交叉区域中已经从晶片的下表面侧到上表面侧形成有多层改质层。

并且，在沿着第2分割预定线形成改质层时，向该交叉区域照射激光束。于是，激光束照射在已经形成于交叉区域的改质层上而产生激光束的漫反射(飞溅)，有时激光束从第2分割预定线露出。其结果为，激光束照射在形成于晶片的下表面侧(正面侧)的器件上，有可能使器件损伤。

特别是，当沿着第2分割预定线在晶片的下表面侧形成改质层时，向在交叉区域中从晶片的下表面到上表面形成的多个改质层照射激光束。因此，容易产生激光束的漫反射，也容易产生器件的损伤。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供能够抑制由激光束的照射而引起的器件的损伤的晶片的加工方法。