[发明专利]具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法

权利要求书

1.一种生长金属二硫属元素化物原子层的图案的方法，所述方法包括：

提供基底；

在所述基底上提供碳纳米结构的对准图案；

提供与所述碳纳米结构的图案的第一部分接触的第一金属部分和与碳纳米结构的图案的第二部分接触的第二金属部分；

将盐层沉积在所述基底和所述碳纳米结构的图案上；

电阻加热所述碳纳米结构的图案，以从所述基底去除所述碳纳米结构的图案和沉积在所述碳纳米结构的图案上的盐，其中从所述基底去除所述碳纳米结构的图案和沉积在所述碳纳米结构的图案上的盐在所述基底上提供盐图案；以及

在所述盐图案上生长金属二硫属元素化物原子层；

其中所述金属二硫属元素化物原子层以对准的图案提供，所述对准的图案均具有预定宽度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包含SiO₂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳纳米结构的图案包括碳纳米结构的条带。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳纳米结构包括碳纳米管。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属部分和/或所述第二金属部分包含选自Ti、Cu、Au以及它们的组合的金属。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述盐层包含NaBr。

7.根据权利要求1所述的方法，其中电阻加热所述碳纳米结构的图案以从所述基底去除所述碳纳米结构的图案和沉积在所述碳纳米结构的图案上的盐包括：

提供由电压源、所述第一金属部分、所述第二金属部分、金属布线和所述碳纳米结构的图案形成的电网络；以及

使电流流过所述电网络以蚀刻所述碳纳米结构的图案的至少一部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中通过电阻加热从所述基底去除所述碳纳米结构的图案的约100％和沉积在所述碳纳米结构的图案上的盐。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属布线包含选自Ti、Cu、Au以及它们的组合的金属。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述盐图案包括盐条带。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述盐条带中的每一个的宽度不超过5nm。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在所述盐图案上生长所述金属二硫属元素化物原子层包括将金属氧化物和硫属元素热共沉积到所述盐图案上。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属氧化物选自二氧化钨、三氧化钨、二氧化钼以及它们的组合，并且

所述硫属元素选自硒、硫以及它们的组合。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述金属二硫属元素化物原子层包含二硫化钼。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定宽度不超过5nm。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属二硫属元素化物原子层的所述对准的图案包括所述金属二硫属元素化物原子层的带。

17.一种金属二硫属元素化物的图案化生长方法，所述方法包括：

提供基底，所述基底包括第一端部和第二端部，以及多个碳纳米管，所述多个碳纳米管限定在所述第一端部与所述第二端部之间延伸的部分覆盖所述基底的图案；

在所述基底上沉积盐层；

从所述基底去除所述图案，以形成在所述第一端部与所述第二端部之间延伸的交替的暴露基底的条带和涂覆有盐的基底的条带；以及在所述涂覆有盐的基底的条带上生长金属二硫属元素化物层。