[发明专利]具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法

说明书

本发明题为“具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法”。本发明提供了一种生长金属二硫属元素化物原子层的图案的方法，该方法包括提供基底；在基底上提供碳纳米结构的对准图案；提供与碳纳米结构的图案的第一部分接触的第一金属部分和与碳纳米结构的图案的第二部分接触的第二金属部分；在基底和碳纳米结构的图案上沉积盐层；电阻加热碳纳米结构的图案以从基底去除碳纳米结构的图案和沉积在碳纳米结构的图案上的盐，其中从基底去除碳纳米结构的图案和沉积在碳纳米结构的图案上的盐在基底上提供盐图案；以及在盐图案上生长金属二硫属元素化物原子层，其中金属二硫属元素化物原子层以对准的图案提供，该对准的图案均具有预定宽度。本发明还公开了根据本公开的方法制备的金属二硫属元素化物原子层的图案。

技术领域

本公开整体涉及一种生长金属二硫属元素化物原子层的图案的方法。

背景技术

鉴于摩尔工业定律(Moore’s Law of Industry)(即，致密集成电路中的晶体管数量每两年增加一倍)，必须继续按比例缩小电子器件以满足日益增长的需求。然而，通常利用的光刻工艺受到掩模分辨率问题(一般约10nm-15nm)和/或所需的合成后加工(例如，用各种物质涂覆和转印到其他基底上)的限制，这不可避免地导致了对单层及其固有特性的污染。

最近，金属二硫属元素化物原子层已经由于其有前途的光电和催化特性，尤其是在新一代电路的情境下，变成了密集研究的主题。然而，目前没有用于制备具有低纳米级宽度的单层带的可靠方法，该低纳米级宽度对于当前需求可为期望的。

发明内容

本公开涉及一种生长具有预定宽度(尤其是低于五纳米的宽度)的金属二硫属元素化物(尤其是过渡金属二硫属元素化物)原子层的图案的方法。该方法可包括以下步骤：提供基底；在该基底上提供碳纳米结构的对准图案；提供与该碳纳米结构的图案的至少两个单独部分接触的金属；将盐层沉积在该基底和该碳纳米结构的图案上；电阻加热该碳纳米结构的图案以去除该碳纳米结构的图案和沉积在该碳纳米结构的图案上的盐，其中去除该碳纳米结构的图案和沉积在该碳纳米结构的图案上的盐提供与剩余的盐层对应的盐图案；以及在该盐图案上生长金属二硫属元素化物原子层，其中该金属二硫属元素化物原子层是以具有预定宽度的对准图案提供的。本公开还涉及通过如本文所述的方法提供的金属二硫属元素化物图案和该金属二硫属元素化物图案的使用方法。

附图说明

图1示出了根据本公开的方面的示例性基底，该示例性基底具有沉积在其上的碳纳米结构的对准条带。

图2示出了根据本公开的方面的金属的示例，该金属被提供为与碳纳米结构的图案的至少两个单独部分接触。

图3示出了根据本公开的方面的沉积在基底和碳纳米结构的图案上的盐层的示例。

图4示出了根据本公开的方面的电网络。

图5示出了根据本公开的方面的基底，该基底具有基底材料的图案和金属二硫属元素化物原子层的图案。

图6A示出了根据本公开的方面的生长碳纳米结构的对准图案的示例性方法。

图6B示出了根据本公开的方面的生长碳纳米结构的对准图案的示例性方法。

具体实施方式