[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010092192.9 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN112542507A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 河野洋志;蟹江创造;深津茂人;铃木拓马 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其中，具备：
碳化硅层，具有第1面和第2面，并且具有元件区域和末端区域；
第1电极，设置在上述碳化硅层的上述第1面侧；以及
第2电极，设置在上述碳化硅层的上述第2面侧，
上述末端区域设置在上述元件区域的周围，具有沿第1方向延伸的第1直线部、沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸的第2直线部、以及上述第1直线部与上述第2直线部之间的角部；
上述末端区域具有：
第1导电型的第1碳化硅区域；
第2导电型的第2碳化硅区域，设置在上述第1碳化硅区域与上述第1面之间，包围上述元件区域，呈由第1点部和上述第1点部之间的第1空间部构成的点线状，上述角部的上述第1点部所占的比例大于上述第1直线部的上述第1点部所占的比例；
第2导电型的第3碳化硅区域，设置在上述第1碳化硅区域与上述第1面之间，包围上述第2碳化硅区域，呈由第2点部和上述第2点部之间的第2空间部构成的点线状，上述角部的上述第2点部所占的比例大于上述第1直线部的上述第2点部所占的比例；以及
第2导电型的第4碳化硅区域，设置在上述第1碳化硅区域与上述第1面之间，包围上述第3碳化硅区域，呈由第3点部和上述第3点部之间的第3空间部构成的点线状，上述角部的上述第3点部所占的比例大于上述第1直线部的上述第3点部所占的比例。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第2点部位于上述第1空间部与上述第3空间部之间。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第2碳化硅区域的上述第1点部所占的比例高于上述第4碳化硅区域的上述第3点部所占的比例。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述末端区域在上述第2碳化硅区域与上述第3碳化硅区域之间具有第2导电型杂质浓度比上述第2碳化硅区域低的第2导电型的第5碳化硅区域。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，
上述第5碳化硅区域与上述第1电极电连接。
6.如权利要求4所述的半导体装置，其中，
上述第2碳化硅区域的深度比上述第5碳化硅区域的深度浅。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第2碳化硅区域的第2导电型杂质浓度是5×1016cm－3以上且5×1017cm－3以下。
8.一种半导体装置，其中，具备：
碳化硅层，具有第1面和第2面，并且具有元件区域和末端区域；
第1电极，设置在上述碳化硅层的上述第1面侧；以及
第2电极，设置在上述碳化硅层的上述第2面侧，
上述末端区域设置在上述元件区域的周围，具有沿第1方向延伸的第1直线部、沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸的第2直线部、以及上述第1直线部与上述第2直线部之间的角部；
上述末端区域具有：
第1导电型的第1碳化硅区域；
第2导电型的第2碳化硅区域，设置在上述第1碳化硅区域与上述第1面之间，呈包围上述元件区域的线状，上述角部的线宽大于上述第1直线部的线宽；
第2导电型的第3碳化硅区域，设置在上述第1碳化硅区域与上述第1面之间，呈包围上述第2碳化硅区域的线状，上述角部的线宽大于上述第1直线部的线宽；以及
第2导电型的第4碳化硅区域，设置在上述第1碳化硅区域与上述第1面之间，呈包围上述第3碳化硅区域的线状，上述角部的线宽大于上述第1直线部的线宽。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，
上述第2碳化硅区域的上述角部的线宽是上述第2碳化硅区域的上述第1直线部的线宽的1.2倍以上。
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