[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具备碳化硅层，该碳化硅层具有元件区域和设置在元件区域的周围的末端区域，末端区域具有沿第1方向延伸的第1直线部、沿第2方向延伸的第2直线部、以及第1直线部与第2直线部之间的角部，并且末端区域具有：第2导电型的第2碳化硅区域，包围元件区域，呈由第1点部和第1空间部构成的点线状，角部的第1点部所占的比例大于第1直线部的第1点部所占的比例；以及第2导电型的第3碳化硅区域，包围第2碳化硅区域，呈由第2点部和第2空间部构成的点线状，角部的第2点部所占的比例大于第1直线部的第2点部所占的比例。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－171104号(申请日：2019年9月20日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式主要涉及半导体装置。

背景技术

作为使半导体设备的可靠性恶化的原因，已知由外部电荷的移动、向半导体层上的氧化膜的注入电荷而带来的特性变动。例如，在半导体设备的动作中，外部电荷或注入电荷被捕捉到半导体设备的末端区域的氧化膜中。如果外部电荷或注入电荷被捕捉到末端区域的氧化膜中，则末端区域的电场分布发生变化，引起半导体设备的耐压的变动。

发明内容

实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：碳化硅层，具有第1面和第2面，并且具有元件区域和末端区域；第1电极，设置在上述碳化硅层的上述第1面侧；以及第2电极，设置在上述碳化硅层的上述第2面侧；上述末端区域设置在上述元件区域的周围，具有沿第1方向延伸的第1直线部、沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸的第2直线部、以及上述第1直线部与上述第2直线部之间的角部；上述末端区域具有：第1导电型的第1碳化硅区域；第2导电型的第2碳化硅区域，设置在上述第1碳化硅区域与上述第1面之间，包围上述元件区域，呈由第1点部和上述第1点部之间的第1空间部构成的点线状，上述角部的上述第1点部所占的比例大于上述第1直线部的上述第1点部所占的比例；第2导电型的第3碳化硅区域，设置在上述第1碳化硅区域与上述第1面之间，包围上述第2碳化硅区域，呈由第2点部和上述第2点部之间的第2空间部构成的点线状，上述角部的上述第2点部所占的比例大于上述第1直线部的上述第2点部所占的比例；以及第2导电型的第4碳化硅区域，设置在上述第1碳化硅区域与上述第1面之间，包围上述第3碳化硅区域，呈由第3点部和上述第3点部之间的第3空间部构成的点线状，上述角部的上述第3点部所占的比例大于上述第1直线部的上述第3点部所占的比例。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图2是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图3是第1实施方式的半导体装置的示意截面图。

图4是比较例的半导体装置的示意俯视图。

图5是第2实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图6是第3实施方式的半导体装置的示意俯视图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。另外，以下的说明中，对于相同或类似的部件等附加相同的附图标记，关于说明过一次的部件等，有适当省略其说明的情况。