[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202010092530.9 | 申请日: | 2020-02-14 |
公开(公告)号: | CN111584392A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 丰永真臣;蓑手文隆;时松徹;石丸和俊;香月信吾;村上孝 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供能得到较高生产率且使基板的输送路径的设定自由度较高的技术。其包括:容器载置部,其载置收容多张基板的收容容器;多个基板处理部,其分别处理基板;第1基板输送机构,其具有移动自如的基台以及第1基板保持部和第2基板保持部,第1基板保持部和第2基板保持部设为在基台上独立地前后移动自如,以使基板左右方向上的缘部开放的方式自下方分别支承基板左右方向上靠中央部的位置,第1基板保持部和第2基板保持部一起前进而一齐相对于收容容器交接基板;以及互相层叠的多个第1基板载置部,其分别载置基板而与各基板处理部交接基板,第1基板保持部和第2基板保持部单独地在基台上前进来交接基板。
技术领域
本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在半导体晶圆的制造工序中,对作为基板的半导体晶圆(以下记载为晶圆)进行液体处理、加热处理等各种处理。作为对晶圆进行这样的各种处理的基板处理装置,具有设为如下结构的情况:包括:处理模块,其设有对基板进行处理的各种处理组件;以及输送机构,其在该处理模块与收纳多张晶圆的载体之间输送晶圆。
在专利文献1、2中,示出了这样的基板处理装置。该专利文献1的基板处理装置包括:多个单位模块,其具有各个处理组件并且构成上述的处理模块;以及多个送入送出用的组件,其用于相对于各单位模块分别进行晶圆的送入送出。而且,该基板处理装置的输送机构具备形状互不相同的两个基板保持部,使用一个基板保持部在载体与送入送出用的组件之间输送晶圆,使用另一基板保持部在送入送出用的组件之间输送晶圆。
专利文献1:日本特开2013-69916号公报
专利文献2:日本特开2013-69917号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开关于基板处理装置,提供一种能够得到较高的生产率并且使基板的输送路径的设定的自由度较高的技术。
用于解决问题的方案
本公开的基板处理装置包括:
容器载置部,其载置收容多张基板的收容容器;
多个基板处理部,其分别对所述基板进行处理;
第1基板输送机构,其具有移动自如的基台以及第1基板保持部和第2基板保持部,该第1基板保持部和第2基板保持部设为在该基台上独立地前后移动自如,并且,以使所述基板的左右方向上的缘部开放的方式自下方分别支承该基板的左右方向上的靠中央部的位置,该第1基板保持部和第2基板保持部一起前进从而一齐相对于所述收容容器交接所述基板;以及
互相层叠的多个第1基板载置部,其分别载置所述基板从而相对于各所述基板处理部交接所述基板,所述第1基板保持部和第2基板保持部单独地在所述基台上前进来交接所述基板。
对于上述基板处理装置,也可以是,该基板处理装置将多个单位模块互相层叠来设置,该多个单位模块均具备所述基板处理部以及在该基板处理部与所述第1基板载置部之间输送所述基板的第2基板输送机构,
所述第1基板载置部设于每个所述单位模块。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述第2基板输送机构包括第3基板保持部,该第3基板保持部包括自侧方包围所述基板的包围部和设于该包围部的内周缘并支承所述基板的下表面的爪部。
对于上述基板处理装置,也可以是,该基板处理装置包括第2基板载置部,该第2基板载置部相对于所述第1基板载置部在纵向上排列设置,仅利用所述第1基板输送机构和所述第2基板输送机构中的第2基板输送机构交接所述基板。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述第2基板载置部为调整所述基板的温度的温度调整部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010092530.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造