[发明专利]用于非易失性存储器中的错误校正的快速失效支持

说明书

本申请公开了一种用于改进非易失性存储器中的错误校正的快速失效支持的装置、系统及方法。一种示例性方法包括：(a)在快速失效模式中从读取操作接收码字，(b)初始配置最大迭代次数(N_max)和用于多个位翻转阈值的值的集合，以用于对码字执行解码操作，(c)执行多次(N)解码迭代，每次迭代使用位翻转阈值的子集，(d)计算作为N_max和N之间的差的剩余迭代次数(N_rem)，(e)基于N_rem和快速失效模式中的读取操作的延迟要求，重新配置多个位翻转阈值的值的集合以重新开始解码操作，并且(f)重复操作(c)至(e)，直到码字被成功解码或N_rem小于或等于0。

技术领域

本专利文件通常涉及一种非易失性存储器装置，且更具体地，涉及一种非易失性存储器装置中的错误校正。

背景技术

数据完整性是任何数据存储装置和数据传输的重要特征。推荐包括NAND闪速存储器装置的各种类型的数据存储装置使用强错误校正码(ECC)。

固态驱动器(SSD)使用多层NAND闪存装置以供永久存储。然而，多层NAND闪存装置在本质上是不可靠的，并且通常需要以用于ECC奇偶校验位的额外存储空间为代价来使用ECC以允许显著增加数据可靠性。需要愈发高效的ECC和控制机制，以提供最小的奇偶校验和延迟要求的最大数据保护。

发明内容

所公开的技术的实施例涉及针对非易失性存储器装置中的错误校正提供快速失效支持。本文中描述的方法和装置有利地使得快速失效操作能够适应ECC解码器的剩余迭代次数，同时保持严格的延迟要求。

本发明提供针对非易失性存储器装置中的错误校正的快速失效支持的方法、装置及系统。在示例方面，一种用于非易失性存储器中的改进的错误校正的方法包括(a)在快速失效模式中从读取操作接收码字；(b)初始地配置最大迭代次数和用于多个位翻转阈值的值的集合，以用于对码字执行解码操作；(c)执行多次解码迭代，每次迭代使用位翻转阈值的子集；(d)计算作为最大迭代次数与已执行的多个解码迭代之间的差的剩余迭代次数；(e)基于剩余迭代次数和快速失效模式中的读取操作的延迟要求，重新配置多个位翻转阈值的值的集合以重新开始解码操作；并且(f)重复操作(c)至(e)，直到码字被成功解码或者剩余迭代次数小于或等于零。

在另一示例方面，上述方法可以由包括处理器的视频编码器设备或视频解码器设备实施。

在又一示例方面，这些方法可以以处理器可运行指令的形式来实现并且存储在计算机可读程序介质上。

可以通过提供以下的一个或多个特征的特定方式来实施本专利文件中描述的主题。

附图说明

图1示出存储器系统的示例。

图2是示例非易失性存储器装置的示图。

图3是示出非易失性存储器装置的单元电压电平分布(V_th)的示例示图。

图4是示出非易失性存储器装置的单元电压电平分布(V_th)的另一示例示图。

图5是示出编程干扰之前和之后的非易失性存储器装置的单元电压电平分布(V_th)的示例示图。

图6是示出根据参考电压的非易失性存储器装置的单元电压电平分布(V_th)的示例示图。

图7是示出位翻转解码器的操作的流程图。

图8是根据本公开技术的实施例的位翻转解码器的示例架构。

图9示出用于改进非易失性存储器中的错误校正的另一示例方法的流程图。

具体实施方式