[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

积层体，包含沿着第1方向积层的多个第1导电体层、及配置在所述多个第1导电体层的上方且沿着所述第1方向积层的多个第2导电体层；

柱，在所述积层体内沿着所述第1方向延伸，且包含半导体层；以及

电荷储存层，配置在所述多个第1导电体层与所述半导体层之间、及所述多个第2导电体层与所述半导体层之间；且

所述半导体层包含：

第1部分，在所述多个第1导电体层中的最上层的第1导电体层与所述多个第2导电体层中的最下层的第2导电体层之间，沿着所述第1方向延伸；及

第2部分，配置在所述半导体层的所述第1部分的上方，且直径随着朝向上方而减少。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述半导体层还包含第3部分，所述第3部分配置在所述半导体层的所述第2部分的上方，且直径随着朝向上方而增加。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述半导体层还包含：

第4部分，配置在所述半导体层的所述第1部分的下方，且直径随着朝向下方而以第1比率减少；及

第5部分，配置在所述半导体层的所述第4部分的下方，且直径随着朝向下方而以小于所述第1比率的第2比率减少。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述电荷储存层包含：

第1部分，在所述最上层的第1导电体层与所述最下层的第2导电体层之间，沿着所述第1方向延伸；及

第2部分，配置在所述电荷储存层的所述第1部分的上方，且直径随着朝向上方而增加；且

所述电荷储存层的所述第1部分与所述电荷储存层的所述第2部分为连续膜。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

所述电荷储存层还包含第3部分，所述第3部分在所述电荷储存层的所述第1部分与所述电荷储存层的所述第2部分之间，直径随着朝向上方而减少。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述电荷储存层还包含第4部分，所述第4部分在所述电荷储存层的所述第1部分与所述电荷储存层的所述第3部分之间，沿着所述积层体的积层面内的第2轴延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述最下层的第2导电体层具有与所述半导体层的所述第2部分对向的面。

8.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述最下层的第2导电体层具有所述最下层的第2导电体层的下表面与和所述半导体层的所述第3部分对向的面交叉的部分。

9.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

所述电荷储存层还包含将所述电荷储存层的所述第1部分与所述电荷储存层的所述第2部分连接的第5部分，且

所述电荷储存层的所述第5部分的膜厚比所述电荷储存层的所述第1部分及所述电荷储存层的所述第2部分的膜厚薄。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

还具备配置在所述电荷储存层与所述半导体层之间的第1绝缘体层，且

所述第1绝缘体层包含：

第1部分，在所述最上层的第1导电体层与所述最下层的第2导电体层之间，沿着所述第1方向延伸；及

第2部分，配置在所述第1绝缘体层的所述第1部分的上方，且直径随着朝向上方而增加；且

所述第1绝缘体层的所述第1部分与所述第1绝缘体层的所述第2部分被断开。