[发明专利]抗腐蚀的导电结构及抗腐蚀涂层的组成物

权利要求书

1.一种抗腐蚀的导电结构，其特征在于，包含：

一基板；

一导电层，设置于该基板上，该导电层包含金属、金属合金、或金属氧化物；以及

一保护层，覆盖该导电层，该保护层包含：

树酯；和

一第一成分，该第一成分包含叠氮烷杂环化合物或其衍生物。

2.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中该导电层包含复数条奈米银线，在该保护层中该树酯的重量百分比为75％至95％，在该保护层中该第一成分的重量百分比为0.1％至20％。

3.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中该叠氮烷杂环化合物或其衍生物具有化学式1的结构，

其中，Z1为H(氢)或C(碳)，Z2、Z3、和Z4为C(碳)。

4.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中该叠氮烷杂环衍生物为苯并三唑、1,2,4-三唑、吡唑、3,4-二甲基吡唑、3,4,5-三甲基吡唑、4-乙基吡唑、4-氟基吡唑、3-甲基-5-三氟甲基吡唑、3-甲基-4-苯基吡唑、5-甲基吡唑、3-(4-胺基苯基)吡唑、2-(2-胺基苯基)吡唑、3-(2,5-二甲氧基苯基)吡唑、5-(2-噻吩基)吡唑、1-甲基-5-羟基吡唑-3-羧酸甲酯、4-[5-(4-甲氧基苯基)-1-(2-萘基)-4,5-二氢-1H-吡唑-3-基]-7H-苯并咪唑并[2,1-a]苯并[de]异喹啉-7一、5-氨基-1-甲基-1H-吡唑-4-羧酸乙酯、5-甲基-1H-苯并三唑、4-苯基-1H-1,2,3-三唑、4-氨基-4H-1,2,4-三唑、3-甲基-1H-1,2,4-三唑、或3-氨基1,2,4-三唑。

5.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中该保护层还包含一第二成分，该第二成分包含：烷基胺、氟代烷基胺、氟代苯胺、烷基硫醇、氟代烷基硫醇、氟苯硫酚、其衍生物、或其组合。

6.如权利要求5所述的导电结构，其特征在于，其中在该保护层中该第一成分和该第二成分的重量百分比的和为0.1％至20％，该第一成分与该第二成分的比例为1:10至10:1。

7.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中该保护层具有约40奈米至约0.5公分的厚度。

8.一种抗腐蚀涂层的组成物，其特征在于，包含：

一树酯；

一第一成分，该第一成分包含叠氮烷杂环化合物或其衍生物，其中该第一成分的浓度为0.01毫克/公升至180毫克/公升；以及

一溶剂。

9.如权利要求8所述的抗腐蚀涂层的组成物，其特征在于，还包含一第二成分，该第二成分包含：烷基胺、氟代烷基胺、氟代苯胺、烷基硫醇、氟代烷基硫醇、氟苯硫酚、其衍生物、或其组合。

10.如权利要求9所述的抗腐蚀涂层的组成物，其特征在于，其中该第一成分的浓度和该第二成分的浓度的和为0.01毫克/公升至200毫克/公升，该第一成分与该第二成分的比例为1:10至10:1。