[发明专利]一种改善硅抛光片平整度的方法在审
| 申请号： | 202010096161.0 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111230605A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 石明;李诺;武卫;孙晨光;王聚安;王彦君 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 耿树志 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 抛光 平整 方法 | ||
1.一种改善硅抛光片平整度的方法，其特征在于：通过磨削改变硅片形貌，再通过低转速低压力高流量对硅片抛光，包括以下步骤：
S1、待硅片腐蚀后对抛光面进行磨削，使硅片中部形成凹陷；
S2、采用抛光机对单晶硅晶片进行抛光；
S3、对抛光后的单晶硅抛光片进行去蜡清洗。
2.根据权利要求1所述的一种改善硅抛光片平整度的方法，其特征在于：S1中所述的中部凹陷深度为1.5-2um。
3.根据权利要求1所述的一种改善硅抛光片平整度的方法，其特征在于：在S2中所述抛光机使用有蜡抛光机；
所述抛光操作包括粗抛步骤、中抛步骤以及精抛步骤。
4.根据权利要求3所述的一种改善硅抛光片平整度的方法，其特征在于：所述粗抛步骤使用粗抛液以及粗抛布，粗抛时间设定为8min,抛光机定盘转速设定为20rpm，抛光机定盘中心轮转速为40rpm。
5.根据权利要求4所述的一种改善硅抛光片平整度的方法，其特征在于：所述粗抛液稀释比例为1:20(体积比)，流量为13.0±0.5L/min。
6.根据权利要求3所述的一种改善硅抛光片平整度的方法，其特征在于：所述中抛步骤使用中抛液和中抛布，中抛时间设定为6min,抛光机定盘转速设定为20rpm，抛光机定盘中心轮转速为40rpm。
7.根据权利要求6所述的一种改善硅抛光片平整度的方法，其特征在于：所述中抛液稀释比例为1:40(体积比)，流量为13.0±0.5L/min。
8.根据权利要求3所述的一种改善硅抛光片平整度的方法，其特征在于：所述精抛步骤使用精抛液以及精抛布，精抛时抛光时间设定为8min,抛光机定盘转速设定为25rpm，抛光机定盘中心轮转速为25rpm。
9.根据权利要求3所述的一种改善硅抛光片平整度的方法，其特征在于：将粗抛操作过程中的抛光机单位面积压力调整为260g/cm2；
将中抛操作过程中的抛光机单位面积压力调整为150g/cm2。
10.根据权利要求1所述的一种改善硅抛光片平整度的方法，其特征在于：在S2中所述抛光操作的抛光去除量在9-11um。
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