[发明专利]一种改善硅抛光片平整度的方法

说明书

本发明创造提供了一种改善硅抛光片平整度的方法，通过磨削改变硅片形貌，再通过低转速低压力高流量对硅片抛光，包括以下步骤：S1、待硅片腐蚀后对抛光面进行磨削，使硅片中部形成“碗状”凹陷；S2、采用抛光机对单晶硅晶片进行抛光；S3、对抛光后的单晶硅抛光片进行去蜡清洗。本发明创造所述的一种改善硅抛光片平整度的方法加工抛光后的硅片，测试其它参数指标，均要高于原始工艺水平，该检测结果表明，本工艺能实现高平整度硅抛光片的量产。

技术领域

本发明创造属于单晶硅抛光片的有蜡抛光领域，尤其是涉及一种改善硅抛光片平整度的方法。

背景技术

近年来，随着半导体行业的高速发展和激烈的市场竞争，硅片大直径化是集成电路技术线宽变细、元件数量增多、管芯面积增大和降低成本的需要，是硅材料的发展趋势，对原始硅材料和工艺质量的控制的要求也越来越严苛；硅片表面平整度是影响电子元器件质量的重要因素之一，随着硅材料直径变大，对硅片表面有效使用面积的要求越来越严格，通常测试要求去除边缘3mm，发展到去除边缘2mm，所以边缘平整度不好将直接影响到整个硅片的表面平整度，这就要求半导体器件所用衬底材料的硅抛光片具有良好的边缘形貌。

化学机械抛光(CMP)是目前最为普遍的半导体材料表面平整技术，因此要获得良好的平整度对抛光的技术水平提出了更高的要求。

发明创造内容

有鉴于此，本发明创造旨在提出一种改善硅抛光片平整度的方法，来提高产品质量。

为达到上述目的，本发明创造的技术方案是这样实现的：

一种改善硅抛光片平整度的方法，通过磨削改变硅片形貌，再通过低转速低压力高流量对硅片抛光，包括以下步骤：

S1、待硅片腐蚀后对抛光面进行磨削，使硅片中部形成“碗状”凹陷；

S2、采用抛光机对单晶硅晶片进行抛光；

S3、对抛光后的单晶硅抛光片进行去蜡清洗。

进一步的，S1中所述的中部“碗状”凹陷深度为1.5-2um。

进一步的，在S2中所述抛光机使用有蜡抛光机；

所述抛光操作包括粗抛步骤、中抛步骤以及精抛步骤。

进一步的，所述粗抛步骤使用粗抛液以及粗抛布，粗抛时间设定为8min,抛光机定盘转速设定为20rpm，抛光机定盘中心轮转速为40rpm。

进一步的，所述粗抛液稀释比例为1:20(体积比)，流量为13.0±0.5L/min。

进一步的，所述中抛步骤使用中抛液和中抛布，中抛时间设定为6min,抛光机定盘转速设定为20rpm，抛光机定盘中心轮转速为40rpm。

进一步的，所述中抛液稀释比例为1:40(体积比)，流量为13.0±0.5L/min。

进一步的，所述精抛步骤使用精抛液以及精抛布，精抛时抛光时间设定为8min,抛光机定盘转速设定为25rpm，抛光机定盘中心轮转速为25rpm。

进一步的，将粗抛操作过程中的抛光机单位面积压力调整为260g/cm2；

将中抛操作过程中的抛光机单位面积压力调整为150g/cm2。

进一步的，在S2中所述抛光操作的抛光去除量在9-11um。

相对于现有技术，本发明创造所述的一种改善硅抛光片平整度的方法具有以下优势：

本发明创造所述的一种改善硅抛光片平整度的方法加工抛光后的硅片，测试其它参数指标，均要高于原始工艺水平，该检测结果表明，本工艺能实现高平整度硅抛光片的量产。

具体实施方式