[发明专利]形成半导体器件的方法及其结构

权利要求书

1.一种具有高电压电阻器元件的半导体器件，所述半导体器件包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；

第二导电类型的第一掺杂区域，所述第一掺杂区域位于所述半导体衬底的第一部分上，其中所述第一掺杂区域形成晶体管的漂移区域；

第二导电类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域位于所述半导体衬底中并与所述第一掺杂区域间隔开，其中所述第二掺杂区域形成所述晶体管的另一区域；

绝缘体，所述绝缘体覆盖在所述第一掺杂区域上面；和

电阻器，所述电阻器覆盖在所述绝缘体上面，所述电阻器形成为具有多圈的矩形螺旋形状，每圈具有边和连接所述边的弯曲拐角，所述弯曲拐角由具有第一电阻率的第一半导体材料形成，而所述边由具有第二电阻率的第二半导体材料形成，其中所述第一电阻率是所述第二电阻率的至少一百倍。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二电阻率介于大约每平方两欧姆与每平方二十欧姆之间，并且其中所述第一电阻率介于大约每平方三百欧姆与每平方五千欧姆之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述弯曲拐角是圆的弧，并且所述弧的总和大约为三百六十度。

4.一种形成半导体器件的电阻器的方法，所述方法包括：

提供具有第一导电类型的半导体衬底；

在所述半导体衬底的第一部分上形成第二导电类型的第一掺杂区域；

形成覆盖在所述第一掺杂区域上面的绝缘体；和

形成覆盖在所述绝缘体和所述第一掺杂区域上面的电阻器，包括形成具有多圈的多边形螺旋形状的所述电阻器，其中每圈具有边和拐角，包括由具有第一电阻率的电阻材料形成所述拐角，并且由具有较低电阻率的第二材料形成所述边。

5.根据权利要求4所述的方法，所述方法包括形成彼此间隔开第一距离的相邻圈的所述边。

6.根据权利要求5所述的方法，所述方法包括将所述第一距离形成为对于每圈为基本上恒定的。

7.根据权利要求4所述的方法，所述方法包括由基本上是导体的所述第二材料形成所述边。

8.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括由多晶硅形成所述电阻材料。

9.一种形成半导体器件的电阻器的方法，所述方法包括：

提供具有第一导电类型的半导体衬底；

在所述半导体衬底的第一部分上形成第二导电类型的第一掺杂区域；

形成覆盖在所述第一掺杂区域上面的绝缘体；和

形成覆盖在所述绝缘体和所述第一掺杂区域上面的材料，包括将所述材料形成为细长元件，所述细长元件形成为具有多圈的螺旋形的图案，其中每圈具有边和将所述边中的两个边相互连接的拐角，包括由具有第一电阻率的第一材料形成所述拐角，并且由具有较低电阻率的第二材料形成所述边。

10.根据权利要求9所述的方法，所述方法包括形成具有大于大约每平方一百欧姆的电阻率的所述第一材料。