[发明专利]形成半导体器件的方法及其结构

说明书

本申请涉及形成半导体器件的方法及其结构。在一个实施方案中，半导体器件包括覆盖在半导体器件的掺杂区域上面的电阻器。所述电阻器形成为多边形螺旋形的图案。所述电阻器的所述图案的实施方案包括边和拐角。所述边的材料具有低电阻率，而所述拐角的材料具有较高的电阻率。

相关申请的交叉引用

本申请案涉及具有共同受让人、发明人为Paul等人的案卷号为ONS02912US的名称为“形成半导体器件的方法及其结构(METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE ANDSTRUCTURE THEREFOR)”的申请，该申请与本申请同时提交，并以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明整体涉及电子器件，并且更具体地讲，涉及半导体、半导体结构以及形成半导体器件的方法。

背景技术

在过去，半导体工业利用各种方法和结构来形成高电压电阻器，该高电压电阻器可以用于形成表示接收到的高电压的信号。在一些应用中，高电压可能超过两百至一千五百(200到1500)伏。在一些实施方案中，形成电阻器来覆盖在半导体器件的部分上面以辅助形成信号。一些电阻器的示例可以在美国专利号7,306,999B2和7,955,943B2中找到，这两个专利均通过引用并入本文。

在一些应用中，电阻器必须具有大的电阻值，这通常要求将位于下面的半导体器件形成的非常大。这通常导致成本增加。

在一些情况下，电阻器也可能引起高电场。高电场通常导致器件性能下降。

因此，期望具有不增加半导体器件的尺寸和/或成本和/或减小半导体器件中的电场的电阻器。

发明内容

在一个方面，本申请提供一种具有高电压电阻器元件的半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；第二导电类型的第一掺杂区域，所述第一掺杂区域位于所述半导体衬底的第一部分上，其中所述第一掺杂区域形成晶体管的漂移区域；第二导电类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域位于所述半导体衬底中并与所述第一掺杂区域间隔开，其中所述第二掺杂区域形成所述晶体管的另一区域；绝缘体，所述绝缘体覆盖在所述第一掺杂区域上面；和电阻器，所述电阻器覆盖在所述绝缘体上面，所述电阻器形成为具有多圈的矩形螺旋形状，每圈具有边和连接所述边的弯曲拐角，所述弯曲拐角由具有第一电阻率的第一半导体材料形成，而所述边由具有第二电阻率的第二半导体材料形成，其中所述第一电阻率是所述第二电阻率的至少一百倍。

在另一方面，本申请提供一种形成半导体器件的电阻器的方法，所述方法包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底的第一部分上形成第二导电类型的第一掺杂区域；形成覆盖在所述第一掺杂区域上面的绝缘体；和形成覆盖在所述绝缘体和所述第一掺杂区域上面的电阻器，包括形成具有多圈的多边形螺旋形状的所述电阻器，其中每圈具有边和拐角，包括由具有第一电阻率的电阻材料形成所述拐角，并且由具有较低电阻率的第二材料形成所述边。

在另一方面，本申请提供一种形成半导体器件的电阻器的方法，所述方法包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底的第一部分上形成第二导电类型的第一掺杂区域；形成覆盖在所述第一掺杂区域上面的绝缘体；和形成覆盖在所述绝缘体和所述第一掺杂区域上面的材料，包括将所述材料形成为细长元件，所述细长元件形成为具有多圈的螺旋形的图案，其中每圈具有边和将所述边中的两个边相互连接的拐角，包括由具有第一电阻率的第一材料形成所述拐角，并且由具有较低电阻率的第二材料形成所述边。

附图说明

图1示意性地示出了包括根据本发明的半导体器件的高电压电路的实施方案的一部分的示例；

图2示出了根据本发明的可以是图1的器件的替代实施方案的半导体器件的实施方案的放大截面部分的示例；