[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 202010097940.2 | 申请日: | 2020-02-18 |
公开(公告)号: | CN111146214A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 赵立星;朱涛;钱海蛟;王胜广;温海龙;刘爽 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;姜春咸 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底以及位于所述衬底上的薄膜晶体管、绝缘层、阻挡部,所述薄膜晶体管的栅极层位于所述衬底上,所述绝缘层位于所述栅极层远离所述衬底的一侧,且所述绝缘层将所述栅极层覆盖,所述薄膜晶体管的源漏极和有源层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧,且所述源漏极的至少部分与所述有源层连接,所述有源层与至少部分所述栅极层在所述衬底上的投影重合,
其中,所述绝缘层具有通孔,所述通孔与所述栅极层在所述衬底上的投影不重叠,所述阻挡部位于所述通孔中,所述阻挡部用于阻挡由第一方向射向所述源漏极的光,所述第一方向为所述衬底远离所述绝缘层且所述通孔远离所述栅极层的方向。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阻挡部与所述源漏极同层设置且相互连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在平行于所述栅极层的特定边缘的方向上,所述阻挡部的宽度大于所述源漏极宽度,所述特定边缘为所述栅极层最靠近所述阻挡部的边缘。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阻挡部布满所述通孔的侧壁,且所述通孔的侧壁与所述通孔的轴线之间的角度小于30度。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,形成所述有源层的材料包括氧化铟镓锌。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括封装层,位于所述源漏极和有源层远离所述衬底的一侧,用于将所述薄膜晶体管封装。
7.一种基阵列板的制备方法,其特征在于,用于形成权利要求1至6所述的阵列基板,所述制备方法包括:
在衬底上形成所述薄膜晶体管的栅极层;
在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成所述绝缘层,所述绝缘层具有通孔;
在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成所述薄膜晶体管的源漏极、有源层,在所述绝缘层的通孔中形成所述阻挡部,其中,所述阻挡部用于阻挡由第一方向射向所述源漏极的光,所述第一方向为所述衬底远离所述绝缘层且所述通孔远离所述栅极层的方向。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成所述薄膜晶体管的源漏极、有源层,在所述绝缘层的通孔中形成所述阻挡部包括:
在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成有源层;
在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成导电材料层,以形成所述源漏极和所述阻挡部。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成所述绝缘层,所述绝缘层具有通孔包括:
采用沉积方式在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成绝缘材料层;
采用构图工艺在所述绝缘材料层中形成通孔,以形成所述绝缘层。
10.一种显示面板,其特征在于,包括:
权利要求1至6所述的阵列基板;
背光模组,位于所述衬底远离所述绝缘层的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的