[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 202010097940.2 | 申请日: | 2020-02-18 |
公开(公告)号: | CN111146214A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 赵立星;朱涛;钱海蛟;王胜广;温海龙;刘爽 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;姜春咸 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,属于显示技术领域,其可至少部分解决现有的显示面板的薄膜晶体管的有源层由于光照而影响薄膜晶体管的性能的问题。本发明的一种阵列基板,包括衬底以及位于衬底上的薄膜晶体管、绝缘层、阻挡部,薄膜晶体管的栅极层位于衬底上,绝缘层位于栅极层远离衬底的一侧,且绝缘层将栅极层覆盖,薄膜晶体管的源漏极和有源层位于绝缘层远离衬底的一侧,且源漏极的至少部分与有源层连接,有源层与至少部分栅极层在衬底上的投影重合,其中,绝缘层具有通孔,通孔与栅极层在衬底上的投影不重叠,阻挡部位于通孔中,阻挡部用于阻挡由第一方向射向源漏极的光,第一方向为衬底远离绝缘层且通孔远离栅极层的方向。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)是显示面板中一种半导体器件,其对于显示面板的显示具有重要的作用。具体的,薄膜晶体管的有源层的形成材料主要有传统的非晶硅(a-Si),以及迁移率更高的氧化铟镓锌(IGZO)、低温多晶硅(LTPS)等。为了保证有源层的性能,即保证薄膜晶体管的性能,需要避免光(如显示面板的背光模组的光)照射到有源层上。
如图1所示(图中的带箭头的虚线表示光照传播方向),现有的一种显示面板中,其薄膜晶体管采用底栅结构来遮挡来自背光模组的光照,然而,部分照射到源漏极5的光线仍然可以通过栅极层2与源漏极5的反射最终照射到有源层4上,从而影响薄膜晶体管的电学性能。
发明内容
本发明至少部分解决现有的显示面板的薄膜晶体管的有源层由于光照而影响薄膜晶体管的性能的问题,提供一种避免光照到晶体管的有源层的阵列基板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板,其特征在于,包括衬底以及位于所述衬底上的薄膜晶体管、绝缘层、阻挡部,所述薄膜晶体管的栅极层位于所述衬底上,所述绝缘层位于所述栅极层远离所述衬底的一侧,且所述绝缘层将所述栅极层覆盖,所述薄膜晶体管的源漏极和有源层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧,且所述源漏极的至少部分与所述有源层连接,所述有源层与至少部分所述栅极层在所述衬底上的投影重合,
其中,所述绝缘层具有通孔,所述通孔与所述栅极层在所述衬底上的投影不重叠,所述阻挡部位于所述通孔中,所述阻挡部用于阻挡由第一方向射向所述源漏极的光,所述第一方向为所述衬底远离所述绝缘层且所述通孔远离所述栅极层的方向。
进一步优选的是,所述阻挡部与所述源漏极同层设置且相互连接。
进一步优选的是,在平行于所述栅极层的特定边缘的方向上,所述阻挡部的宽度大于所述源漏极宽度,所述特定边缘为所述栅极层最靠近所述阻挡部的边缘。
进一步优选的是,所述阻挡部布满所述通孔的侧壁,且所述通孔的侧壁与所述通孔的轴线之间的角度小于30度。
进一步优选的是,形成所述有源层的材料包括氧化铟镓锌。
进一步优选的是,该阵列基板还包括封装层,位于所述源漏极和有源层远离所述衬底的一侧,用于将所述薄膜晶体管封装。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种基阵列板的制备方法,用于形成上述的阵列基板,所述制备方法包括:
在衬底上形成所述薄膜晶体管的栅极层;
在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成所述绝缘层,所述绝缘层具有通孔;
在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成所述薄膜晶体管的源漏极、有源层,在所述绝缘层的通孔中形成所述阻挡部,其中,所述阻挡部用于阻挡由第一方向射向所述源漏极的光,所述第一方向为所述衬底远离所述绝缘层且所述通孔远离所述栅极层的方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的