[发明专利]一种sgRNA及其在修复内含子异常剪接中的应用在审

专利信息
申请号: 202010097964.8 申请日: 2020-02-17
公开(公告)号: CN112391410A 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 吴宇轩;杨菲;刘明耀;张亮 申请(专利权)人: 华东师范大学;上海邦耀生物科技有限公司
主分类号: C12N15/85 分类号: C12N15/85;C12N15/90;C12N15/12;C12N15/113;C12N5/10
代理公司: 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 代理人: 王振南
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 sgrna 及其 修复 内含 异常 剪接 中的 应用
【权利要求书】:

1.一种针对细胞中由于HBB(β-珠蛋白基因)IVS2-654 CT突变导致内含子异常剪接的修复方法,所述IVS2-654 CT的突变引入额外的剪接供体位点导致内含子异常剪接,其特征在于,所述方法包括利用CRISPR-Cas9系统对HBB进行基因编辑以删除所述额外的剪接供体位点的步骤;

所述CRISPR-Cas9系统包括Cas9和靶向目标序列的sgRNA;

所述sgRNA包括sgRNA-U和sgRNA-D,

所述sgRNA-U的靶向位点在IVS2-654 CT位点的上游21bp至IVS2-654CT位点所在的HBB基因第二内含子起始位点范围内,

所述sgRNA-D的靶向位点在IVS2-654 CT位点的下游71bp至IVS2-654CT位点所在的HBB基因第二内含子终止位点范围内。

2.根据权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述sgRNA-U的靶向序列为SEQ IDNo.1-35所示序列中的任一种或任两种以上;优选的,SEQ ID No.1、2、和/或3所示序列,更优选的,所述sgRNA-U包括碱基的化学修饰。

3.根据权利要求1或2所述的修复方法,其特征在于,所述sgRNA-D的靶向序列为SEQ IDNo.36-51所示序列中的任一种或任两种以上;优选的,SEQ ID No.36、37、38和/或39所示序列;更优选的,所述sgRNA-D包括碱基的化学修饰。

4.根据权利要求1-3中任一所述的修复方法,其特征在于,所述额外的剪接供体位点的序列为AAGGTAATA。

5.根据权利要求1-4中任一所述的修复方法,其特征在于,采用电转化的方法向细胞中引入包含Cas9和sgRNA-U的复合物、以及Cas9和sgRNA-D的复合物。

6.根据权利要求1-7中任一所述的修复方法,其特征在于,所述细胞为造血干细胞或红系祖细胞,

优选的,所述造血干细胞为CD34+的造血干祖细胞,所述红系祖细胞为HUDEP-2。

7.一种用于修复由HBB(β-珠蛋白基因)IVS2-654 CT突变导致的内含子异常剪接的sgRNA,所述sgRNA包括sgRNA-U和sgRNA-D,

所述sgRNA-U的靶向位点在IVS2-654 CT位点的上游21bp至IVS2-654CT位点所在的HBB基因第二内含子起始位点范围内;

所述sgRNA-D的靶向位点在IVS2-654 CT位点的下游71bp至IVS2-654CT位点所在的HBB基因第二内含子终止位点范围内。

8.根据权利要求7所述的sgRNA,其特征在于,所述sgRNA-U的靶向序列为SEQ ID No.1-35所示序列中的任一种或任两种以上;优选的,SEQ ID No.1、2、和/或3所示序列,更优选的,所述sgRNA-U包括碱基的化学修饰;

所述sgRNA-D的靶向序列为SEQ ID No.36-51所示序列中的任一种或任两种以上;优选的,SEQ ID No.36、37、38和/或39所示序列;更优选的,所述sgRNA-D包括碱基的化学修饰。

9.权利要求7或8所述的sgRNA在修复细胞中由HBB(β-珠蛋白基因)IVS2-654 CT突变导致的内含子异常剪接中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于,所述细胞为造血干细胞或红系祖细胞,

优选的,所述造血干细胞为CD34+的造血干祖细胞,所述红系祖细胞为HUDEP-2。

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