[发明专利]一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构及其加工方法在审
| 申请号： | 202010098696.1 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111403262A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 苏晋苗;苏冠暐 | 申请（专利权）人： | 北京芯之路企业管理中心（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中企讯专利代理事务所(普通合伙) 11677 | 代理人： | 熊亮 |
| 地址： | 100000 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 晶圆薄化制程 支撑 结构 及其 加工 方法 | ||
1.一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，包括集成电路制造布置上电路芯片或器件的晶圆，其特征在于：所述晶圆布置有电路芯片或器件的一侧面为正面，晶圆另一侧面为背面，所述晶圆的背面凸出有图形骨架结构，所述图形骨架结构包括位于晶圆外围边缘处的大环形结构和靠近晶圆中心处的小环形结构，大环形结构与小环形结构之间连接有连接凸起。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，其特征在于：所述小环形结构位于晶圆背面距离圆心四分之一半径处。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，其特征在于：所述的连接凸起设置有三个，三个连接凸起以120度夹角在大环形结构与小环形结构之间均匀分布形成三叉图形结构。
4.根据权利要求1所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，其特征在于：所述大环形结构与小环形结构的宽度为3-5毫米。
5.根据权利要求1所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，其特征在于：所述连接凸起的宽度为3-5毫米。
6.根据权利要求1所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，其特征在于：所述的图形骨架结构厚度为250-800纳米。
7.一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构的加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)提供一需要薄化制程的晶圆；
(2)在晶圆背面以化学气相沉积四乙氧基硅烷形成氧化硅光罩层；
(3)在晶圆背面光罩层上曝光或光刻形成图形化的光阻层；
(4)在晶圆背面以氟化氢进行一次蚀刻制程，去除光罩层中未被光阻层覆盖的部分，将光阻层上的图形保留到光罩层上，然后去除光阻层；
(5)在晶圆背面以氢氧化四甲基铵进行另一次蚀刻或显影，去除光罩层和晶圆背面的部分区域，将光罩层上的图形保留到晶圆的背面，在晶圆背面得到凸出的图形化结构。
8.根据权利要求7所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构的加工方法，其特征在于：根据步骤(3)中，图形化的光阻层为覆盖在晶圆背面外边缘的大环形结构与靠近晶圆背面中心处的小环形结构，以及位于两个环形结构之间的三叉连结图形结构。
9.根据权利要求7所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构的加工方法，其特征在于：在晶圆背面获得凸出的图形骨架结构后，可在晶圆背面以各种薄化制程将晶圆进一步薄化。
10.根据权利要求9所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构的加工方法，其特征在于：各种薄化制程为硏磨、蚀刻和激光薄化制程中的一种或多种，通过上述薄化制程对晶圆背面的凸出的图形骨架结构之外的部分进行薄化。
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