[发明专利]一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构及其加工方法

说明书

本发明涉及电子技术领域，尤其是一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构及其加工方法，包括集成电路制造布置上电路芯片或器件的晶圆，所述晶圆布置有电路芯片或器件的一侧面为正面，晶圆另一侧面为背面，所述晶圆的背面凸出有图形骨架结构，所述图形骨架结构包括位于晶圆外围边缘处的大环形结构和靠近晶圆中心处的小环形结构，大环形结构与小环形结构之间连接有连接凸起，本发明的支撑结构可以实现较大直径与减薄的晶圆薄化制程需求。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，具体领域为一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构及其加工方法。

背景技术

随着集成电路技术的蓬勃发展，如今的制程工艺正在向着集成化与细微化发展，以便达到提升效能和降低成本等目的，其中TAIKO制程该制程仅研磨晶圆的中央部分故被称为太鼓(TAIKO)制程，据此制程晶圆之外缘环形周部边不被硏磨而保留原来之厚度，用以维持晶圆强度，防止于后续加工制程或搬运时之晶圆破损或翘曲，由于集成电路短小轻薄、功率器件的散热与损耗、传感器的精密度等需求，晶圆薄化厚度达到40微米，然而TAIKO技术在8吋以上的薄化制程要求晶圆厚度小于90微米时就无法胜任。

发明内容

本发明的目的在于提供一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构及其加工方法，以解决现有技术中晶圆薄化后结构强度低，使得晶圆容易破损或翘曲的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，包括集成电路制造布置上电路芯片或器件的晶圆，所述晶圆布置有电路芯片或器件的一侧面为正面，晶圆另一侧面为背面，所述晶圆的背面凸出有图形骨架结构，所述图形骨架结构包括位于晶圆外围边缘处的大环形结构和靠近晶圆中心处的小环形结构，大环形结构与小环形结构之间连接有连接凸起。

优选的，所述小环形结构位于晶圆背面距离圆心四分之一半径处。

优选的，所述的连接凸起设置有三个，三个连接凸起以120度夹角在大环形结构与小环形结构之间均匀分布形成三叉图形结构。

优选的，所述大环形结构与小环形结构的宽度为3-5毫米。

优选的，所述连接凸起的宽度为3-5毫米。

优选的，所述的图形骨架结构厚度为250-800纳米。

为实现上述目的，本发明还提供如下技术方案：一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构的加工方法，包括以下步骤：

(1)提供一需要薄化制程的晶圆；

(2)在晶圆背面以化学气相沉积四乙氧基硅烷形成氧化硅光罩层；

(3)在晶圆背面光罩层上曝光或光刻形成图形化的光阻层；

(4)在晶圆背面以氟化氢进行一次蚀刻制程，去除光罩层中未被光阻层覆盖的部分，将光阻层上的图形保留到光罩层上，然后去除光阻层；

(5)在晶圆背面以氢氧化四甲基铵进行另一次蚀刻或显影，去除光罩层和晶圆背面的部分区域，将光罩层上的图形保留到晶圆的背面，在晶圆背面得到凸出的图形化结构。

优选的，根据步骤(3)中，图形化的光阻层为覆盖在晶圆背面外边缘的大环形结构与靠近晶圆背面中心处的小环形结构，以及位于两个环形结构之间的三叉连结图形结构。

优选的，在晶圆背面获得凸出的图形骨架结构后，可在晶圆背面以各种薄化制程将晶圆进一步薄化。

优选的，各种薄化制程为硏磨、蚀刻和激光薄化制程中的一种或多种，通过上述薄化制程对晶圆背面的凸出的图形骨架结构之外的部分进行薄化。