[发明专利]负载锁定模块、基片处理装置和基片的输送方法有效
申请号: | 202010098800.7 | 申请日: | 2020-02-18 |
公开(公告)号: | CN111613550B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 高桥裕之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负载 锁定 模块 处理 装置 输送 方法 | ||
本发明提供负载锁定模块、基片处理装置和基片的输送方法。在大气压下输送基片的大气输送模块与在真空压下进行基片的输送的真空输送模块之间设置的负载锁定模块中,设置能够将内部在大气压与真空压之间切换的负载锁定室。该负载锁定室中设置有具有对基片进行冷却的冷却机构的载置台,并且以从载置台可伸出、没入的方式设置用于使基片升降移动的升降销。并且,设置检测部,该检测部与基片被从载置台伸出的升降销支承的位置对应地设定检测区域,在该检测区域中检测基片。本发明能够在负载锁定模块中检测基片。
技术领域
本发明涉及负载锁定模块、基片处理装置和基片的输送方法。
背景技术
在半导体装置的制造工艺中,对作为基片的半导体晶片(以下,记为晶片)进行蚀刻、成膜等各种各样的真空处理。作为以高生产率(throughput)进行该真空处理的装置,已知有在真空输送室的周围配置多个真空处理室,将晶片从大气输送室经负载锁定室和真空输送室输送到真空处理室的构成。由真空处理室处理过的晶片被真空输送室的臂输送到真空气氛的负载锁定室,负载锁定室内被调节成大气气氛后,从该负载锁定室被大气输送室的臂送出。
专利文献1记载有如下构成,即在用于向具有扫描型电子显微镜(SEM)的扫描型电子显微镜主体输送基片的负载锁定室,设置具有水平的光轴的晶片有无传感器和晶片倾斜传感器。另外,专利文献2记载有在晶片输送装置的臂设置有用于检测收纳在盒内的被处理体的位置的发光元件和受光元件的构成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-33594号公报
专利文献2:日本特开平5-243347号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种在负载锁定模块内检测基片的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的负载锁定模块是切换内部的压力进行基片的输送的负载锁定模块,其特征在于,包括:
设置在大气输送模块与真空输送模块之间的负载锁定室,其能够将内部在大气压与真空压之间切换,其中所述大气输送模块用于在大气压下输送基片,所述真空输送模块与进行基片的处理的处理模块连接,用于在真空压下进行基片的输送;
设置在所述负载锁定室内的载置台,其用于交接已由处理模块处理过的基片,并且具有支承被交接的基片的交接机构;以及
检测部,其与基片被所述交接机构支承的位置对应地设定检测区域,在该检测区域中检测基片。
发明效果
依照本发明,能够在负载锁定模块内检测基片。
附图说明
图1是表示本发明的基片处理装置的第1实施方式的俯视图。
图2是表示上述基片处理装置的纵截侧视图。
图3是表示设置在上述基片处理装置的负载锁定模块的阀体的一例的立体图。
图4是表示设置于上述阀体的检测部的一例和晶片的俯视图。
图5是表示上述阀体和检测部的立体图。
图6是表示设置在上述负载锁定模块的载置台和检测部的侧视图。
图7是表示设置在上述负载锁定模块的载置台和检测部的侧视图。
图8是表示本发明的基片的输送方法的一例的流程图。
图9是表示设置在本发明的基片处理装置的第2实施方式的负载锁定模块的载置台和检测部的侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造