[发明专利]功率组件的半成品及其制造方法以及功率组件的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010099851.1 申请日: 2020-02-18
公开(公告)号: CN113345861A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 沈宜达;蓝荣贤;王德邦 申请(专利权)人: 朋程科技股份有限公司
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 孙静;刘芳
地址: 中国台湾桃园市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 功率 组件 半成品 及其 制造 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种功率组件的半成品,其特征在于,包括:

半导体芯片,具有有源面与相对于所述有源面的背面;以及

第一焊片,定位固设于所述半导体芯片的中心上,所述第一焊片为片状,且所述半导体芯片以所述有源面连接所述第一焊片,其中所述第一焊片的尺寸小于所述半导体芯片的尺寸,以暴露出部分所述半导体芯片。

2.根据权利要求1所述的功率组件的半成品,其特征在于,所述第一焊片相对的二边缘与所述中心的距离实质上相等,且所述第一焊片占所述有源面的表面积的比值介于50%到70%之间。

3.根据权利要求1所述的功率组件的半成品,其特征在于,所述半导体芯片包括绝缘部分,且所述绝缘部分围绕所述第一焊片,且单一片所述半导体芯片的所述有源面连接单一片所述第一焊片。

4.一种功率组件的半成品的制造方法,包括:

提供模具,其中所述模具具有多个凹槽;

配置第一焊片于至少一所述多个凹槽中;

配置半导体芯片于所述第一焊片上,其中所述第一焊片定位于所述半导体芯片的中心上,所述第一焊片的尺寸小于所述半导体芯片的尺寸,以暴露出部分所述半导体芯片;

使所述第一焊片固设于所述中心上;以及

移除所述模具。

5.根据权利要求4所述的功率组件的半成品的制造方法,其特征在于,所述半导体芯片具有有源面与相对于所述有源面的背面,所述半导体芯片以所述有源面连接所述第一焊片,且所述使所述第一焊片固设于所述中心上的步骤包括:

对所述第一焊片与所述半导体芯片进行烧结,使所述第一焊片固设于所述有源面的中心上。

6.根据权利要求5所述的功率组件的半成品的制造方法,其特征在于,

于所述使所述第一焊片固设于所述中心上的步骤前,还包括配置第二焊片于所述背面的步骤;及

所述使所述第一焊片固设于所述中心上的步骤包括:对所述第一焊片、第二焊片与所述半导体芯片进行烧结,使所述第一焊片、第二焊片固设于所述半导体芯片上。

7.一种功率组件的制造方法,包括:

提供功率组件的半成品、第一电极、第二电极、以及第二焊片,且所述功率组件的半成品与所述第二焊片位于所述第一电极与所述第二电极之间,其中所述功率组件的半成品包括:

半导体芯片;以及

第一焊片,定位固设于所述半导体芯片的中心上,其中所述第一焊片的尺寸小于所述半导体芯片的尺寸,以暴露出部分所述半导体芯片;以及

将所述第一电极、所述第二电极、所述功率组件的半成品以及所述第二焊片进行焊接以形成电性连接。

8.根据权利要求7所述的功率组件的制造方法,其特征在于,所述半导体芯片具有有源面与相对于所述有源面的背面,且所述半导体芯片以所述有源面连接所述第一焊片,其中所述有源面背向所述第一电极,且所述第二焊片位于所述第一电极与所述功率组件的半成品之间。

9.根据权利要求7所述的功率组件的制造方法,其特征在于,所述半导体芯片具有有源面与相对于所述有源面的背面,且所述半导体芯片以所述有源面连接所述第一焊片,其中所述有源面面向所述第一电极,且所述第二焊片位于所述第二电极与所述功率组件的半成品之间。

10.根据权利要求7至9任一权利要求所述的功率组件的制造方法,其特征在于,所述功率组件为整流二极管器件,所述第一电极为所述整流二极管器件的基座电极,且所述第二电极为所述整流二极管器件的引线电极。

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