[发明专利]显示背板及其制作方法、显示面板和显示设备在审
申请号: | 202010100107.9 | 申请日: | 2020-02-18 |
公开(公告)号: | CN113284909A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 钱昱翰;刘利宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;宋海斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 背板 及其 制作方法 面板 设备 | ||
本申请提供了一种显示背板及其制作方法、显示面板和显示设备。显示背板包括双栅极薄膜晶体管和第一薄膜晶体管;双栅极薄膜晶体管包括第一有源层,第一有源层的中央部分具有第二掺杂浓度;双栅极薄膜晶体管的栅极绝缘层上设置有第一栅极,第一栅极与具有第二掺杂浓度的有源层部分正对并形成电容器,第一栅极与参考电压线连接;第一薄膜晶体管包括第二有源层和第四栅极,第二有源层中正对栅极的部分具有第一掺杂浓度,第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度;第四栅极与扫描线连接。电容器能够具有较大的电容值,使得双栅薄膜晶体管的中央相对于两侧的电位保持相对稳定,降低了形成漏电流的风险;第一薄膜晶体管具有较高的抵抗阈值电压漂移的能力。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种显示背板及其制作方法、显示面板和显示设备。
背景技术
在现有的一种显示面板中,显示背板包括双栅薄膜晶体管和第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管与EM电位端相连接。当显示背板处于点屏状态下时,EM电位端被置在高电位,这会导致第一薄膜晶体管的阈值电压会发生漂移;此外,EM电位端被置在高电位还会导致双栅薄膜晶体管的中央区域向两侧的漏电。上述问题极大地影响了显示背板工作时的可靠性。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种显示背板及其制作方法、显示面板和显示设备,用以解决现有的显示面板中显示背板工作时的可靠性较低技术问题。
第一方面,本申请实施例提供了一种显示背板,包括双栅极薄膜晶体管和第一薄膜晶体管;
双栅极薄膜晶体管包括第一有源层,第一有源层的中央部分具有第二掺杂浓度;双栅极薄膜晶体管的栅极绝缘层上设置有第一栅极,第一栅极与具有第二掺杂浓度的有源层部分正对并形成电容器,第一栅极与参考电压线连接;
第一薄膜晶体管包括第二有源层和第四栅极,第二有源层中正对第四栅极的部分具有第一掺杂浓度,第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度;第四栅极与扫描线连接。
第二方面,本申请实施例提供了一种显示面板,包括本申请实施例提供的显示背板。
第三方面,本申请实施例提供了一种显示设备,包括本申请实施例提供的显示面板。
第四方面,本申请实施例提供了一种显示背板的制作方法,用于制备本申请实施例提供的显示背板,包括:
制备多个硅层区域;
在多个硅层区域中进行掺杂以形成多个有源层,且使得属于双栅极薄膜晶体管的第一有源层的中央部分具有第二掺杂浓度,以及属于第一薄膜晶体管的第四有源层具有第一掺杂浓度;
在多个有源层上制备栅极绝缘层,在栅极绝缘层上的预设位置制备多个栅极,至少形成双栅极薄膜晶体管、电容器和第一薄膜晶体管。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是:
在制备本申请实施例提供的显示背板时,对双栅薄膜晶体管中第一有源层的中央部分和第一晶体管的第二有源层进行差异化掺杂。双栅薄膜晶体管中第一有源层的中央部分具有较高的第一掺杂浓度,与第一栅极构成电容器,该电容器能够具有较大的电容值,对电位有较好的保持作用,使得双栅薄膜晶体管的中央相对于两侧的电位保持相对稳定,从而显著地降低了形成漏电流的风险,保证显示背板工作时具有较高的可靠性。
在不影响双栅薄膜晶体管的第一有源层的掺杂浓度的前提下,可以适当调整第一薄膜晶体管的有源层中第二掺杂浓度的值,使得第一薄膜晶体管可以在扫描线输出较高的电平EM时,也能够有效地降低了第一薄膜晶体管的漏电量,提高其抵抗阈值电压漂移的能力,进一步提供显示背板工作时的可靠性。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的