[发明专利]具有集成EMI屏蔽的半导体装置在审
申请号: | 202010100658.5 | 申请日: | 2020-02-18 |
公开(公告)号: | CN111613598A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 沙亚通·萨克朗;阿蒙帖·赛亚吉塔拉;查农·素旺卡萨布;罗素·约瑟夫·林奇 | 申请(专利权)人: | 恩智浦有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/552;H01L21/48 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 集成 emi 屏蔽 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,其包括:
引线框架,所述引线框架具有管芯衬垫、包围所述管芯衬垫的多个引线、和屏蔽引线;
第一集成电路IC管芯,所述第一集成电路管芯附接到所述管芯衬垫的表面并且电连接到所述多个引线中的第一组引线和所述屏蔽引线;以及
包封材料,所述包封材料覆盖所述引线框架和所述第一IC管芯并在其上形成模封主体,
其中所述多个引线的外部端从所述模封主体的侧面突出,以使电信号传输到所述第一IC管芯和从所述第一IC管芯传输,并且
其中所述屏蔽引线从所述模封主体的一侧的中间位置突出,并且从所述一侧的表面向上弯曲且至少部分地在所述模封主体的顶表面上方,使所述屏蔽引线至少部分地在所述第一IC管芯上方延伸,由此所述屏蔽线抑制电磁干扰。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,其进一步包括:第二IC管芯,所述第二IC管芯附接到所述第一IC管芯的顶表面并且电连接到所述第一管芯和所述多个引线中的第二组引线中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述屏蔽引线使用粘合剂附接到所述模封主体的所述顶表面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述屏蔽引线的位于所述模封主体的所述顶表面顶部的外部端的宽度大于所述屏蔽引线的其余部分的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述屏蔽引线的宽度和长度大于所述多个引线的宽度和长度。
6.一种半导体装置,其特征在于,其包括:
引线框架,所述引线框架具有管芯衬垫、包围所述管芯衬垫的多个引线、和屏蔽引线;
第一集成电路IC管芯,所述第一集成电路管芯附接到所述管芯衬垫的表面并且电连接到所述多个引线中的第一组引线;
第二IC管芯,所述第二IC管芯附接到所述第一IC管芯的顶表面并且电连接到所述第一管芯和所述多个引线中的第二组引线中的至少一个;
第一组键合导线,所述第一组键合导线将所述第一IC管芯电连接到所述第一组引线;
第二组键合导线,所述第二组键合导线将所述第二IC管芯电连接到所述第一IC管芯、所述第二组引线、和所述屏蔽引线;以及
包封材料,所述包封材料覆盖所述引线框架和所述第一IC管芯并在其上方形成模封主体,
其中所述多个引线的外部端从所述模封主体的侧面突出,以使电信号传输到所述第一IC管芯并从所述第一IC管芯传输,并且
其中所述屏蔽引线从所述模封主体的一侧的中间位置突出,并且从所述一侧的表面向上弯曲且至少部分地在所述模封主体的顶表面上方,使所述屏蔽引线至少部分地在所述第一IC管芯和所述第二IC管芯上方延伸,由此所述屏蔽线抑制电磁干扰。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,所述屏蔽引线在所述第二IC管芯的顶表面上方延伸。
8.一种组装半导体装置的方法,其特征在于,其包括:
提供引线框架,所述引线框架包括管芯衬垫、包围所述管芯衬垫的多个引线、和屏蔽引线;
将第一集成电路IC管芯附接到所述引线框架的所述管芯衬垫;
将所述第一IC管芯电连接到所述多个引线中的第一组引线的内部引线端;
用模制化合物形成围绕所述第一IC管芯、所述电连接和所述引线框架的模封主体,其中所述多个引线的远端从所述模封主体向外突出,并且所述屏蔽引线的远端从所述模封主体的侧表面的中间位置向外突出;以及
将所述屏蔽引线的所述远端从所述模封主体的所述侧表面向上弯曲且在所述模封主体的顶表面上方,使所述屏蔽引线至少部分地在所述第一IC管芯上方延伸。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,其进一步包括:将第二IC管芯附接到所述第一IC管芯的顶表面,以及将所述第二IC管芯电连接到所述第一IC管芯和所述屏蔽引线。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,其进一步包括:用粘合剂将所述屏蔽引线的所述远端附接到所述模封主体的所述顶表面。
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