[发明专利]阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板制作方法，所述阵列基板包括玻璃基板、第一氧化铟锡膜层以及第二氧化铟锡膜层，所述第一氧化铟锡膜层较所述第二氧化铟锡膜层靠近所述玻璃基板，其特征在于，所述第一氧化铟锡膜层的制作方法包括：

依次层叠制作氧化铟锡膜层和金属保护层；

于所述金属保护层背离所述氧化铟锡膜层一侧制作光刻胶层，采用半灰阶光罩工艺曝光，使所述光刻胶层形成第一光刻胶区和第二光刻胶区，所述第一光刻胶区对应红色像素区域和绿色像素区域，所述第二光刻胶区对应蓝色像素区域，所述第一光刻胶区的厚度小于所述第二光刻胶区的厚度；

第一次刻蚀，将所述光刻胶层未覆盖区域对应的氧化铟锡膜层的部分和金属保护层的部分去除；

灰化处理，将第一光刻胶区去除；

第二次刻蚀，将原所述第一光刻胶区覆盖区域对应的所述金属保护层去除；

将所述第二光刻胶区剥离；

将所述氧化铟锡膜层和所述金属保护层退火处理；

第三次刻蚀，将原所述第二光刻胶区覆盖区域对应的所述金属保护层去除。

2.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，

所述第二光刻胶区覆盖区域对应的部分所述第一氧化铟锡膜层，其在的380nm-450nm光波段的透过率低于剩余部分所述第一氧化铟锡膜层的透过率5％-10％。

3.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，

所述金属保护层为钼层；

或，所述金属保护层为依次层叠设置在所述氧化铟锡膜层上的钼层和铝层；

或，所述金属保护层为依次层叠设置在所述氧化铟锡膜层上的第一钼层、铝层和第二钼层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，

所述灰化处理采用氧气和氟化物气体的混合气作为氧化反应气体。

5.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，

所述退火处理的条件为加热温度230℃-250℃，加热时间10分钟-60分钟。

6.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，

在所述玻璃基板上依次层叠的设置栅极层、栅极绝缘层、有源层、源/漏极层、钝化绝缘层、所述第二氧化铟锡膜层，所述第一氧化铟锡膜层位于所述栅极绝缘层和所述源/漏极层以及所述钝化绝缘层之间；

或，在所述玻璃基板上依次层叠的设置栅极层、栅极绝缘层、有源层、源/漏极层、钝化绝缘层、所述第二氧化铟锡膜层，所述第一氧化铟锡膜层位于所述玻璃基板和所述栅极绝缘层之间；

或，还包括有机绝缘层，第一钝化绝缘层和第二钝化绝缘层，在所述玻璃基板上依次层叠的设置栅极层、栅极绝缘层、有源层、源/漏极层、所述第一钝化绝缘层、所述有机绝缘层、所述第一氧化铟锡膜层、所述第二钝化绝缘层以及所述第二氧化铟锡膜层。

7.一种阵列基板，其特征在于，其包括：

玻璃基板、第一氧化铟锡膜层以及第二氧化铟锡膜层，所述第一氧化铟锡膜层较所述第二氧化铟锡膜层靠近所述玻璃基板；

其中，所述第一氧化铟锡膜层对应于红色像素区域和绿色像素区域的部分为第一开口区，所述第一氧化铟锡膜层对应于蓝色像素区域的部分为第二开口区，所述第二开口区在的380nm-450nm光波段透过率低于所述第一开口区的透过率。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二开口区在的380nm-450nm光波段透过率低于所述第一开口区的透过率5％-10％。

9.一种液晶显示装置，其特征在于，其包括：

如权利要求7-8中任一所述阵列基板。