[发明专利]具有源极区域区段和主体区域区段的晶体管器件

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一沟槽，所述第一沟槽设置在半导体区域中并且包括栅极电极；

第二沟槽，所述第二沟槽设置在所述半导体区域中；

台面区域，所述台面区域设置在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间；

第一导电类型的多个源极区域区段，所述第一导电类型的多个源极区域区段设置在所述台面区域的一侧上；和

第二导电类型的多个主体区域区段，所述第二导电类型的多个主体区域区段设置在所述台面区域的所述侧上，所述多个主体区域区段沿着所述台面区域的所述侧限定与所述多个源极区域区段交替的图案。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个源极区域区段中的每个源极区域区段通过所述多个主体区域区段中的一主体区域区段与所述多个源极区域区段中的另一个源极区域区段分离。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个主体区域区段中的每个主体区域区段连接到设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的沟道区域，所述沟道区域被设置在所述多个主体区域区段的下方。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个源极区域区段是第一多个源极区域区段，所述台面区域的所述侧是所述台面区域的第一侧，

所述装置还包括：

第二多个源极区域区段，所述第二多个源极区域区段设置在所述台面区域的与所述台面区域的所述第一侧相对的第二侧上。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个主体区域区段是第一多个主体区域区段，所述多个源极区域区段是第一多个源极区域区段，所述台面区域的所述侧是所述台面区域的第一侧，

所述装置还包括：

第二多个主体区域区段，所述第二多个主体区域区段设置在所述台面区域的与所述台面区域的所述第一侧相对的第二侧上。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个主体区域区段是第一多个主体区域区段，所述多个源极区域区段是第一多个源极区域区段，所述台面区域的所述侧是所述台面区域的第一侧，

所述装置还包括：

第二多个主体区域区段，所述第二多个主体区域区段设置在所述台面区域的与所述台面区域的所述第一侧相对的第二侧上，所述第二多个主体区域区段沿着所述台面区域的所述第二侧与第二多个源极区域区段交替。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个主体区域区段是第一多个主体区域区段，所述台面区域的所述侧是所述台面区域的第一侧，

所述装置还包括：

第二多个主体区域区段，所述第二多个主体区域区段设置在所述台面区域的与所述台面区域的所述第一侧相对的第二侧上，所述第二多个主体区域区段沿着所述台面区域的所述第二侧与所述第二多个源极区域区段交替，使得棋盘格图案由所述第一多个主体区域区段、所述第二多个主体区域区段、所述第一多个源极区域区段和所述第二多个源极区域区段限定在所述台面的顶部表面上。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置具有比不包括所述多个源极区域区段和所述多个主体区域区段的晶体管实施方式的V闩锁性能大至少10％的V闩锁性能。

9.一种装置，包括：

第一沟槽，所述第一沟槽设置在半导体区域中并且包括栅极电极；

第二沟槽，所述第二沟槽设置在所述半导体区域中；

台面区域，所述台面区域设置在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间；

沟道区域，所述沟道区域设置在所述台面区域中；

第一导电类型的多个源极区域区段，所述第一导电类型的多个源极区域区段位于所述台面区域的第一侧上；

第二导电类型的多个主体区域区段，所述第二导电类型的多个主体区域区段在所述台面区域的所述第一侧上与所述多个源极区域区段交替；和

连续源极区域，所述连续源极区域设置在所述台面区域的第二侧上，所述连续源极区域被设置在所述沟道区域上方并且所述连续源极区域的长度大于所述多个源极区域区段的源极区域区段的长度。