[发明专利]具有源极区域区段和主体区域区段的晶体管器件在审

申请号：	202010102083.0	申请日：	2020-02-19
公开（公告）号：	CN111755505A	公开（公告）日：	2020-10-09
发明（设计）人：	小仓尚;广岛崇;谷口敏光;P·A·布尔克	申请（专利权）人：	半导体组件工业公司
主分类号：	H01L29/08	分类号：	H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	章蕾
地址：	美国亚***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	有源区域区段主体晶体管器件
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【说明书】：

本发明题为“具有源极区域区段和主体区域区段的晶体管器件”。在至少一个总体方面，装置可包括设置在半导体区域中并且包括栅极电极的第一沟槽和设置在半导体区域中的第二沟槽。该装置可包括设置在第一沟槽与第二沟槽之间的台面区域和设置在台面区域的顶部部分中的第一导电类型的源极区域。该装置包括设置在台面区域的侧中的第二导电类型的多个主体区域区段。多个主体区域区段沿着台面区域的侧限定与多个源极区域区段交替的图案。

相关申请

本申请要求于2019年7月16日提交的美国非临时申请号16/512,854的优先权和权益，该美国非临时申请要求于2019年3月29日提交的美国临时申请号62,826,736的优先权和权益，这两份申请全文均以引用方式并入本文。

技术领域

本说明书涉及具有源极区域区段和主体区域区段的晶体管器件。

背景技术

一些晶体管器件可经受例如寄生双极型晶体管的影响，该寄生双极型晶体管可被触发并且可防止晶体管器件的关闭。寄生双极型晶体管可由于衬底电流而通过寄生双极型晶体管的基极中的自偏置而触发。因此，需要系统、方法和装置来解决现有技术的不足并提供其它新颖且创新的特征。

发明内容

在至少一个总体方面，装置可包括设置在半导体区域中且包括栅极电极的第一沟槽和设置在半导体区域中的第二沟槽。该装置可包括设置在第一沟槽与第二沟槽之间的台面区域和设置在台面区域的顶部部分中的第一导电类型的源极区域。该装置包括设置在台面区域的侧中的第二导电类型的多个主体区域区段。多个主体区域区段沿着台面区域的侧限定与多个源极区域区段的交替的图案。

一个或多个实施方式的细节在附图和以下描述中阐明。其他特征将从说明书和附图中以及从权利要求书中显而易见。

附图说明

图1是根据一个实施方式的示出晶体管的剖视图的示意图。

图2示出了是图1所示的晶体管的变型的晶体管的透视图。

图3是示出至少图1和图2所示的晶体管的实施方式的示意图。

图4示出了是图1和图2所示的晶体管的变型的另一个晶体管的透视图。

图5A和图5B是示出至少图1和图4所示的晶体管的晶体管实施方式的示意图。

图6示出了是图1所示的晶体管的变型的另一个晶体管的透视图。

图7A和图7B是示出至少图1和图6所示的晶体管的晶体管实施方式的示意图。

图7C至图7E是示出棋盘格图案化的主体区域区段和源极区域区段的其他示例的示意图。

图8A至图8H示出了台面区域的上部区域的各种横截面，该横截面可根据至少图1所示的晶体管的变型沿着纵向轴线组合。

图9是可包括图1至图8H中的晶体管和横截面的各种组合的晶体管的示例性平面图。