[发明专利]双端口SRAM

权利要求书

1.一种双端口SRAM，其特征在于，SRAM单元结构包括：数据存储单元主体结构、第一端口结构和第二端口结构；

所述数据存储单元主体结构由第一反相器和第二反相器交叉耦合连接而成并形成互为反相的第一存储节点和第二存储节点；

所述第一端口结构包括第一选择管和第二选择管，所述第二端口结构包括第三选择管和第四选择管；

所述第一选择管的多晶硅栅和所述第二选择管的多晶硅栅都连接到第一字线；

所述第三选择管的多晶硅栅和所述第四选择管的多晶硅栅都连接到第二字线；

所述第一选择管的源区连接到所述第一存储节点，所述第一选择管的漏区连接到第一位线；所述第二选择管的源区连接到所述第二存储节点，所述第二选择管的漏区连接到第二位线，第一位线和第二位线组成第一对互补位线；

所述第三选择管的源区连接到所述第二存储节点，所述第三选择管的漏区连接到第三位线；所述第四选择管的源区连接到所述第一存储节点，所述第四选择管的漏区连接到第四位线，第三位线和第四位线组成第二对互补位线；

所述SRAM单元结构的版图结构为：

所述第一选择管和所述第四选择管形成在相同的第一有源区中，所述第一选择管的多晶硅栅和所述第四选择管的多晶硅栅相互平行且都跨越所述第一有源区，所述第一选择管的源区形成在对应的多晶硅栅的第一侧的所述第一有源区中以及所述第一选择管的漏区形成在对应的多晶硅栅的第二侧的所述第一有源区中，所述第四选择管的源区形成在对应的多晶硅栅的第二侧的所述第一有源区中以及所述第四选择管的漏区形成在对应的多晶硅栅的第一侧的所述第一有源区中，所述第一选择管的源区和所述第四选择管的源区共用；所述第一选择管的源区通过对应的接触孔和第一层金属层连接到所述第一存储节点，所述第一选择管的漏区通过对应的接触孔连接到所述第一位线对应的第一层金属层，所述第四选择管的漏区通过对应的接触孔连接到所述第四位线对应的第一层金属层，所述第一位线通过所述第一选择管到所述第一存储节点的第一读取路径和所述第四位线通过所述第四选择管到所述第一存储节点的第四读取路径形成对称且相等的结构；

所述第二选择管和所述第三选择管形成在相同的第二有源区中，所述第二选择管的多晶硅栅和所述第三选择管的多晶硅栅相互平行且都跨越所述第二有源区，所述第二选择管的源区形成在对应的多晶硅栅的第一侧的所述第二有源区中以及所述第二选择管的漏区形成在对应的多晶硅栅的第二侧的所述第二有源区中，所述第三选择管的源区形成在对应的多晶硅栅的第二侧的所述第二有源区中以及所述第三选择管的漏区形成在对应的多晶硅栅的第一侧的所述第二有源区中，所述第二选择管的源区和所述第三选择管的源区共用；所述第二选择管的源区通过对应的接触孔和第一层金属层连接到所述第二存储节点，所述第二选择管的漏区通过对应的接触孔连接到所述第二位线对应的第一层金属层，所述第三选择管的漏区通过对应的接触孔连接到所述第三位线对应的第一层金属层，所述第二位线通过所述第二选择管到所述第二存储节点的第二读取路径和所述第三位线通过所述第三选择管到所述第二存储节点的第三读取路径形成对称且相等的结构；

在所述SRAM单元结构的版图结构中，所述第一有源区和所述第二有源区平行且呈中心对称结构，所述第一读取路径和所述第三读取路径呈中心对称结构，所述第二读取路径和所述第四读取路径呈中心对称结构；

在所述SRAM单元结构的版图结构中，所述数据存储单元主体结构呈中心对称结构。

2.如权利要求1所述的双端口SRAM，其特征在于：所述第一反相器包括第一上拉管和第一下拉管。

3.如权利要求2所述的双端口SRAM，其特征在于：所述第二反相器包括第二上拉管和第二下拉管。

4.如权利要求2所述的双端口SRAM，其特征在于：所述第一上拉管、所述第二上拉管都为PMOS管；所述第一下拉管、所述第二下拉管、所述第一选择管、所述第二选择管、所述第三选择管和所述第四选择管都是NMOS管。

5.如权利要求4所述的双端口SRAM，其特征在于：所述第一下拉管设置在第三有源区中，所述第一下拉管的漏区作为所述第一存储节点并通过对应的接触孔连接到和所述第一选择管的源区相连的第一层金属层；

所述第一下拉管的源区通过对应的接触孔连接到接地线对应的第一层金属层。