[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010106539.0 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN112054057A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 郑揟珍;赵真英;金锡勋;柳廷昊;李承勋;李始炯 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王凯霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
器件隔离层，所述器件隔离层位于所述衬底上，所述器件隔离层限定第一有源图案；
成对的第一源极/漏极图案，所述成对的第一源极/漏极图案位于所述第一有源图案上，所述成对的第一源极/漏极图案在第一方向上彼此间隔开，并且所述成对的第一源极/漏极图案中的至少一个第一源极/漏极图案在所述第一方向上具有最大第一宽度；
第一沟道图案，所述第一沟道图案位于所述成对的第一源极/漏极图案之间；
栅电极，所述栅电极位于所述第一沟道图案上，并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；以及
第一非晶区，所述第一非晶区位于所述第一有源图案中，所述第一非晶区位于所述成对的第一源极/漏极图案中的所述至少一个第一源极/漏极图案下方，并且所述第一非晶区在所述第一方向上具有最大第二宽度，所述最大第二宽度小于所述最大第一宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第一非晶区的顶表面与所述成对的第一源极/漏极图案中的所述至少一个第一源极/漏极图案的底表面直接接触，并且
所述第一非晶区从所述成对的第一源极/漏极图案中的所述至少一个第一源极/漏极图案的所述底表面朝向所述衬底的底表面延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一非晶区与所述成对的第一源极/漏极图案中的所述至少一个第一源极/漏极图案竖直交叠。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第一非晶区具有在所述第二方向上彼此间隔开的第一侧壁和第二侧壁，并且
所述第一侧壁和所述第二侧壁与所述第一有源图案的侧壁对应地对准，所述第一有源图案的所述侧壁在所述第二方向上彼此相对。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述成对的第一源极/漏极图案中的所述至少一个第一源极/漏极图案与所述第一沟道图案直接接触。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一非晶区包括与所述第一有源图案相同的半导体材料，所述第一有源图案的所述半导体材料处于单晶状态，所述第一非晶区的所述半导体材料处于非晶状态。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一非晶区包括第一掺杂剂，所述第一掺杂剂是As、Ge、P、C、Si、N以及它们的组合中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一非晶区中的所述第一掺杂剂的浓度的范围为1E19/cm3至1E22/cm3。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道图案的顶表面高于所述器件隔离层的顶表面。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
成对的第二源极/漏极图案，所述成对的第二源极/漏极图案位于第二有源图案上，所述成对的第二源极/漏极图案在所述第一方向上彼此间隔开；
第二沟道图案，所述第二沟道图案位于所述成对的第二源极/漏极图案之间；以及
第二非晶区，所述第二非晶区位于所述第二有源图案中，所述第二非晶区位于所述成对的第二源极/漏极图案中的至少一个第二源极/漏极图案下方，
其中，所述成对的第一源极/漏极图案中的所述至少一个第一源极/漏极图案是具有第一导电类型的杂质区，并且
其中，所述成对的第二源极/漏极图案中的所述至少一个第二源极/漏极图案是具有第二导电类型的杂质区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010106539.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：加热装置、包括该加热装置的CVD设备
- 下一篇：上部车身构造
- 同类专利
- 专利分类
