[发明专利]树脂组合物、无机填充剂、直流电缆以及直流电缆的制造方法有效

专利信息
申请号: 202010106561.5 申请日: 2020-02-21
公开(公告)号: CN111607144B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 细水康平;关口洋逸;山崎孝则 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: C08L23/06 分类号: C08L23/06;C08L23/16;C08L23/12;C08K9/06;C08K3/22;C08K3/36;C08K5/14;H01B7/02;H01B13/14;H01B3/44;H01B3/28
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 常海涛;金小芳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 树脂 组合 无机 填充 直流 电缆 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种树脂组合物,其是构成绝缘层的树脂组合物,

具有含有聚烯烃的基体树脂、以及无机填充剂,

所述无机填充剂的表面具有:

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基,

所述氨基甲硅烷基相对于所述无机填充剂的所述表面所具有的全部甲硅烷基的摩尔分数为2%以上90%以下,

所述无机填充剂由氧化镁、二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化钛、及氧化锆中的至少一者构成,

相对于100质量份的所述基体树脂,所述无机填充剂的含量为0.1质量份以上10质量份以下。

2.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,在反应温度为850℃以及还原温度为600℃的条件下,通过使用热导率检测器的气相色谱法对所述无机填充剂的表面进行元素分析而求出的氮相对于碳的质量比为0.7%以上35%以下。

3.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,所述氨基甲硅烷基具有含有所述氨基的烃基,

所述疏水性甲硅烷基中的所述疏水性基团的碳原子数小于所述氨基甲硅烷基中的含有所述氨基的所述烃基的碳原子数。

4.根据权利要求3所述的树脂组合物,其中,所述氨基甲硅烷基中的含有所述氨基的所述烃基的碳原子数是3以上12以下。

5.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,每个所述无机填充剂的所述表面当中的一部分与所述氨基甲硅烷基结合,其它部分与所述疏水性甲硅烷基结合。

6.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,所述基体树脂包含低密度聚乙烯,

当形成具有所述基体树脂和所述无机填充剂并具有0.2mm厚度的树脂组合物的片材时,在温度为80℃且直流电场为50kV/mm的条件下测定的所述树脂组合物的片材的体积电阻率为8×1015Ω·cm以上。

7.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,所述基体树脂包含通过将乙丙橡胶或乙丙二烯橡胶分散或共聚在聚乙烯或聚丙烯中而得的热塑性弹性体,

当形成具有所述基体树脂和所述无机填充剂并具有0.2mm厚度的树脂组合物的片材时,在温度为80℃且直流电场为50kV/mm的条件下测定的所述树脂组合物的片材的体积电阻率为5×1015Ω·cm以上。

8.一种无机填充剂,其是混合至构成绝缘层的树脂组合物中、且添加到含有聚烯烃的基体树脂中的无机填充剂,

所述无机填充剂的表面具有:

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基,

所述氨基甲硅烷基相对于所述无机填充剂的所述表面所具有的全部甲硅烷基的摩尔分数为2%以上90%以下,

所述无机填充剂由氧化镁、二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化钛、及氧化锆中的至少一者构成。

9.一种直流电缆,其具备:

导体、以及

被设置为覆盖所述导体外周的绝缘层,

所述绝缘层由具有含有聚烯烃的基体树脂以及无机填充剂的树脂组合物构成,

所述无机填充剂的表面具有:

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基,

所述氨基甲硅烷基相对于所述无机填充剂的所述表面所具有的全部甲硅烷基的摩尔分数为2%以上90%以下,

所述无机填充剂由氧化镁、二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化钛、及氧化锆中的至少一者构成,

相对于100质量份的所述基体树脂,所述无机填充剂的含量为0.1质量份以上10质量份以下。

10.一种直流电缆的制造方法,其具备:

制备具有含有聚烯烃的基体树脂以及无机填充剂的树脂组合物的步骤、以及

使用所述树脂组合物形成绝缘层以覆盖导体外周的步骤,

所述无机填充剂由氧化镁、二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化钛、及氧化锆中的至少一者构成,

相对于100质量份的所述基体树脂,所述无机填充剂的含量为0.1质量份以上10质量份以下,

制备所述树脂组合物的步骤具有采用含有氨基的氨基硅烷偶联剂和含有疏水性基团的疏水性硅烷偶联剂对所述无机填充剂进行表面处理的步骤,

在对所述无机填充剂进行表面处理的步骤中,

使来自于所述氨基硅烷偶联剂的含有所述氨基的氨基甲硅烷基、以及来自于所述疏水性硅烷偶联剂的含有所述疏水性基团的疏水性甲硅烷基结合在所述无机填充剂的表面上,

所述氨基甲硅烷基相对于所述无机填充剂的所述表面所具有的全部甲硅烷基的摩尔分数为2%以上90%以下。

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