[发明专利]可光聚合的树脂组合物在审
申请号: | 202010106629.X | 申请日: | 2020-02-21 |
公开(公告)号: | CN111599666A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 姜勳;梁容薰;郑壤镐;崔善华 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;G03F7/004;H01L27/32;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚合 树脂 组合 | ||
1.一种可光聚合的树脂组合物,所述可光聚合的树脂组合物包括:
第一层;
第二层;以及
阻挡层,设置在所述第一层与所述第二层之间,
其中,所述阻挡层包括SiNx、SiOx、SiON、Mo、Mo氧化物、Cu、Cu氧化物、Al、Al氧化物、Ag和Ag氧化物中的一种或更多种。
2.根据权利要求1所述的可光聚合的树脂组合物,其中,x表示1至4的范围内的数。
3.根据权利要求1所述的可光聚合的树脂组合物,其中,所述第一层和所述第二层包括相同的材料。
4.根据权利要求3所述的可光聚合的树脂组合物,其中,所述第一层和所述第二层具有不同的蚀刻速率。
5.根据权利要求1所述的可光聚合的树脂组合物,其中,所述第一层和所述第二层包括不同的材料。
6.根据权利要求5所述的可光聚合的树脂组合物,其中,所述第一层和所述第二层具有不同的蚀刻速率。
7.根据权利要求1所述的可光聚合的树脂组合物,其中,所述阻挡层具有至的范围内的厚度。
8.根据权利要求1所述的可光聚合的树脂组合物,其中,所述阻挡层的蚀刻速率介于所述第一层的蚀刻速率与所述第二层的蚀刻速率之间。
9.根据权利要求1所述的可光聚合的树脂组合物,其中,所述第一层的蚀刻速率大于所述阻挡层的蚀刻速率,并且
所述阻挡层的蚀刻速率大于所述第二层的蚀刻速率。
10.根据权利要求1所述的可光聚合的树脂组合物,其中,所述第二层的蚀刻速率大于所述阻挡层的蚀刻速率,并且
所述阻挡层的蚀刻速率大于所述第一层的蚀刻速率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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